WCL029N06DN 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的功率場效應晶體管 (MOSFET),專為高�、高效能開關應用設計。該器件采用了先進的封裝技術,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開關電�、電機驅(qū)動和其他高頻功率�(zhuǎn)換場��
這款 GaN MOSFET 具有出色的熱性能和耐用�,能夠承受較高的電壓和電流負�,并在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運�。此�,它還具備快速恢復二極管特性,從而減少了開關損耗并提高了整體效��
型號:WCL029N06DN
類型:增強型 E 模式 GaN HEMT
漏源擊穿電壓�650V
導通電阻(典型值)�29mΩ
最大漏極電流:14A
柵極�(qū)動電壓(開啟/關閉):6V/-4V
結電容(Coss):18pF
總柵極電荷:30nC
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
1. 基于氮化� (GaN) 材料制造,具備更高的功率密度和效率�
2. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損��
3. 高開關頻率支�,適合高頻應用場��
4. �(nèi)置快速恢復二極管,降低開關過程中的反向恢復損��
5. 小尺寸封裝設�,節(jié)省電路板空間�
6. 寬工作溫度范圍,適用于嚴苛環(huán)境下的應��
7. 出色的熱管理能力,確保長時間�(wěn)定運��
1. 開關模式電源 (SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 逆變器及電機�(qū)�
4. 充電器及適配�
5. 工業(yè)電源系統(tǒng)
6. 可再生能源發(fā)電設�
7. 高效電力電子模塊
WCL033N06DG, WCL025N06DM, WCL029N06DP