WCL048N10DN 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低寄生電感和出色的散熱性能,能夠滿足現(xiàn)代射頻和微波系統(tǒng)的嚴(yán)格要�。其主要�(yīng)用于雷達(dá)、衛(wèi)星通信�5G基礎(chǔ)�(shè)施以及其他高性能射頻系統(tǒng)��
型號(hào):WCL048N10DN
類型:增�(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT)
材料:氮化鎵(GaN)
額定電壓�100V
最大漏極電流:8A
柵極電荷�30nC
�(dǎo)通電阻:20mΩ
開關(guān)頻率:高�(dá)4GHz
封裝形式:表面貼�(SMD)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
WCL048N10DN 的主要特�(diǎn)是采用了氮化鎵材料,使其具備了優(yōu)異的高頻特性和高功率處理能��
1. 高擊穿電壓:相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,GaN HEMT能夠支持更高的擊穿電�,從而適用于更廣泛的�(yīng)用場��
2. 高效率:由于�(dǎo)通電阻較低,WCL048N10DN能夠在高電流條件下保持較高的效率�
3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸出電容使得該器件在高頻操作時(shí)表現(xiàn)出色�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在極端溫度條件�,WCL048N10DN也能保持�(wěn)定的電氣性能�
5. 小型化設(shè)�(jì):得益于先�(jìn)的SMD封裝技�(shù),這款器件非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)��
WCL048N10DN 主要用于需要高效率、高頻率和大功率輸出的場合:
1. 射頻功率放大器:特別是在5G基站和衛(wèi)星通信系統(tǒng)�,對高頻和高功率的需求使該器件成為理想選��
2. 工業(yè)�(jí)電源�(zhuǎn)換:例如DC-DC�(zhuǎn)換器和無線充電設(shè)�,可利用其高效能�(shí)�(xiàn)更好的能源管��
3. 軍事與航空航天領(lǐng)域:如相控陣?yán)走_(dá)和其他關(guān)鍵任�(wù)系統(tǒng),這些�(yīng)用通常需要可靠且高效的功率傳��
4. �(yī)療成像設(shè)備:超聲波發(fā)射器等需要快速響�(yīng)和高精度控制的應(yīng)用也適合使用此款晶體��
WCL048N12DP
GAN043-100WS
CGH40010