時間�2025/3/27 14:28:58
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WED3DG6435V75JD1是一種高性能的功率MOSFET芯片，專為高效率、高可靠性應用設計。該芯片采用了先進的半導體制造工�，能夠提供較低的導通電阻和快速的開關速度，適用于各類電力電子轉換設備，如電源適配�、LED驅動器以及工�(yè)控制中的開關電源模塊�
其封裝形式和電氣特性使其非常適合用于需要高效能和散熱良好的場景。同�，它還具有出色的熱穩(wěn)定性和抗電磁干擾能�，能夠在苛刻的工作環(huán)境下保持�(wěn)定的性能�
型號：WED3DG6435V75JD1
類型：N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs)：�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�35A
導通電�(Rds(on))�0.075Ω(典型��25°C)
總功�(Ptot)�280W
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝形式：TO-247-3
1. 極低的導通電阻，在高溫條件下仍能保持高效的能量傳��
2. 快速的開關速度，有助于減少開關損耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 高雪崩擊穿能力和強健的短路耐受能力，確保在異常情況下的可靠運行�
4. 內置的防靜電保護電路進一步增強了器件的魯棒��
5. 符合RoHS標準，采用環(huán)保材料制�，適合綠色能源項��
6. 支持表面貼裝和通孔安裝，便于不同類型的PCB設計需��
1. 開關電源(SMPS)：包括AC-DC和DC-DC轉換��
2. 太陽能逆變器：用于將直流電轉化為交流電�
3. 電動工具：如無刷電機驅動電路�
4. 工業(yè)自動化：例如可編程邏輯控制器(PLC)中的功率控制部分�
5. 電動汽車(EV)充電站：作為核心功率元件實現(xiàn)高效的電力管��
6. LED照明：用作恒流或恒壓驅動的核心組��
IRFP250N
STP30NF55
FDP17N65
IXYS5N80E
