WFM200S022XNN3R 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合在高頻條件下工��
該芯片為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式和引腳布局�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠提供卓越的散熱性能和電氣穩(wěn)定性�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�22A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:1200pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
WFM200S022XNN3R 的核心特性在于其超低的導(dǎo)通電阻以及高效的開關(guān)性能。以下是詳細(xì)說明�
1. �(dǎo)通電阻僅� 3.5mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損耗,提升了整體系�(tǒng)效率�
2. 具有較低的柵極電� (75nC),有助于�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,并減少開關(guān)過程中的能量損失�
3. 最大耐壓值達(dá)� 200V,適用于較高電壓等級(jí)的應(yīng)用場��
4. 支持高達(dá) 22A 的連續(xù)漏極電流,可滿足大功率負(fù)載的需��
5. 工作溫度范圍� (-55� � +175�),適�(yīng)各種�(yán)苛的工作�(huán)境�
6. 封裝形式� TO-247,具備良好的散熱特性和�(jī)械強(qiáng)��
7. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(jīng)過優(yōu)化,�(jìn)一步增�(qiáng)了可靠性和抗干擾能��
WFM200S022XNN3R 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域,包括但不限于以下場景�
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
- 隔離� DC-DC �(zhuǎn)換器
- PFC (功率因數(shù)校正) 電路
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制
- 步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 新能源相�(guān)�(shè)備:
- 太陽能逆變�
- �(chǔ)能系�(tǒng)的充放電管理
4. 工業(yè)自動(dòng)化:
- 變頻�
- 工業(yè)控制�
5. 汽車電子�
- 車載充電� (OBC)
- �(dòng)力電池管理系�(tǒng) (BMS)
WFM200S022XNN3H, WFM200S022XNNA3