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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > WFM200S022XNN3R

WFM200S022XNN3R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 12:48:50 查看 閱讀�28

WFM200S022XNN3R 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合在高頻條件下工��
  該芯片為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式和引腳布局�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠提供卓越的散熱性能和電氣穩(wěn)定性�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�22A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  總電容:1200pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

WFM200S022XNN3R 的核心特性在于其超低的導(dǎo)通電阻以及高效的開關(guān)性能。以下是詳細(xì)說明�
  1. �(dǎo)通電阻僅� 3.5mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損耗,提升了整體系�(tǒng)效率�
  2. 具有較低的柵極電� (75nC),有助于�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,并減少開關(guān)過程中的能量損失�
  3. 最大耐壓值達(dá)� 200V,適用于較高電壓等級(jí)的應(yīng)用場��
  4. 支持高達(dá) 22A 的連續(xù)漏極電流,可滿足大功率負(fù)載的需��
  5. 工作溫度范圍� (-55� � +175�),適�(yīng)各種�(yán)苛的工作�(huán)境�
  6. 封裝形式� TO-247,具備良好的散熱特性和�(jī)械強(qiáng)��
  7. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(jīng)過優(yōu)化,�(jìn)一步增�(qiáng)了可靠性和抗干擾能��

�(yīng)�

WFM200S022XNN3R 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域,包括但不限于以下場景�
  1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
   - 隔離� DC-DC �(zhuǎn)換器
   - PFC (功率因數(shù)校正) 電路
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - 無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制
   - 步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 新能源相�(guān)�(shè)備:
   - 太陽能逆變�
   - �(chǔ)能系�(tǒng)的充放電管理
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:
   - 變頻�
   - 工業(yè)控制�
  5. 汽車電子�
   - 車載充電� (OBC)
   - �(dòng)力電池管理系�(tǒng) (BMS)

替代型號(hào)

WFM200S022XNN3H, WFM200S022XNNA3

wfm200s022xnn3r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

wfm200s022xnn3r參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�2,500 : �59.46992卷帶(TR�
  • 系列WFM200S
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 射頻系列/�(biāo)�(zhǔn)WiFi
  • �(xié)�802.11b/g/n
  • �(diào)�DSSS
  • 頻率2.412GHz ~ 2.484GHz
  • �(shù)�(jù)速率72.2Mbps
  • 功率 - 輸出15.1dBm
  • 靈敏�-96.3dBm
  • 串行接口SDIO,SPI
  • 天線類型集成�,芯�
  • 使用� IC/零件WFM200S
  • 存儲(chǔ)容量-
  • 電壓 - 供電1.62V ~ 3.6V
  • 電流 - 接收42.3mA ~ 48.3mA
  • 電流 - 傳輸45.4mA ~ 99.4mA
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 工作溫度-40°C ~ 105°C(TA�
  • 封裝/外殼58-SMD 模塊