WNM02143DN是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)。其封裝形式通常為TO-263或DPAK,適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�
該MOSFET在電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他功率電子�(yīng)用中表現(xiàn)出色。由于其低導(dǎo)通電阻特�,能夠有效減少功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�42A
�(dǎo)通電阻:1.7mΩ
柵極電荷�98nC
總電容:2350pF
工作�(jié)溫范圍:-55°C�175°C
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,確保在過載情況下的可靠性�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度�(huán)境下可靠�(yùn)��
6. 小尺寸封裝,便于PCB布局和節(jié)省空��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
4. 電池保護(hù)和負(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的高可靠性功率開�(guān)�
IRF260N, STP36NF06, FDP5500