時間�2025/6/6 10:21:41
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WNM03316DN是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效率功率開關器�，廣泛應用于高頻DC-DC轉換�、電源適配器和無線充電設備中。該器件采用先進的GaN FET設計，具備低導通電阻和快速開關特�，能夠在高頻條件下實現更高的效率和更小的體積。其封裝形式為DFN8�2mmx2mm�，適合于緊湊型設計需��
該芯片集成了驅動電路和保護功�，簡化了系統(tǒng)設計并增強了可靠�。它支持脈寬調制（PWM）控�，并且具有過溫保護、過流保護等功能�
型號：WNM03316DN
類型：GaN功率開關
最大漏源電壓（Vds）：100V
導通電阻（Rds(on)）：160mΩ
柵極閾值電壓（Vgs(th)）：2.5V
連續(xù)漏極電流（Id）：3.3A
工作溫度范圍�-40℃至+125�
封裝：DFN8�2mmx2mm�
WNM03316DN采用了先進的氮化鎵材料制造工藝，與傳�(tǒng)硅基MOSFET相比，具有更低的寄生電容和更快的開關速度。這使得它能夠顯著降低開關損�，從而提升整體系�(tǒng)的效�。此外，其小型化的DFN封裝非常適合對空間要求較高的應用�(huán)��
主要特性包括：
- 超低導通電�，提高能�
- 高速開關性能，減少死區(qū)時間
- 內置多重保護機制，增強可靠�
- 支持高頻操作，縮小磁性元件尺�
- 兼容標準邏輯電平驅動
- 符合RoHS�(huán)保標�
WNM03316DN適用于多種高效能電力電子應用領域，例如：
- 快速充電器和USB-PD適配�
- 高頻DC-DC轉換�
- 小型化AC-DC電源解決方案
- 無線充電�(fā)射端電路
- 消費類電子產品的嵌入式電源模�
- 工業(yè)用輔助電�
由于其優(yōu)異的高頻特性和高效率表�，這款芯片在追求高性能和小型化的應用場景中表現出色�
WNM03318DN
WM03316DS
GAN033-16EPB
