WNM03362DR是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、直流電�(jī)�(qū)動、負(fù)載開�(guān)等場�。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適合在高效率和高密度的�(shè)計中使用�
該MOSFET具備出色的開�(guān)特性和較低的柵極電荷,能夠顯著減少開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)性能�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:1.7mΩ
柵源開啟電壓�2.5V
總柵極電荷:39nC
輸入電容�1050pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to +150�
WNM03362DR具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可降低傳�(dǎo)損��
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)��
3. 較低的柵極電荷(Qg)以減少開關(guān)損��
4. 超薄型表面貼裝封裝(TO-252�,有助于節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 提供�(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),適合高功率密度�(shè)計�
這款MOSFET廣泛用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
3. 電池保護(hù)電路及負(fù)載切��
4. 電機(jī)控制與驅(qū)動應(yīng)用�
5. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
IRFZ44N
STP80NF06
FDP5500