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WNM10315DN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 16:30:39 查看 閱讀�29

WNM10315DN是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中。其封裝形式為TO-263,適用于表面貼裝技�(shù)(SMT),并具備良好的散熱性能�

參數(shù)

型號(hào):WNM10315DN
  類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-263
  Vds(漏源極電壓):100V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�15mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):31A
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.5V
  fmax(最大工作頻率)�5MHz
  Ptot(總功耗)�118W

特�

WNM10315DN的主要特性包括低�(dǎo)通電阻(Rds(on)僅為15mΩ�,這使得它在功率應(yīng)用中能夠有效降低傳導(dǎo)損�。同�(shí),其快速開(kāi)�(guān)能力使其非常適合高頻�(kāi)�(guān)電路,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)��
  此外,該器件的高擊穿電壓(Vds�100V)確保了其在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)行。WNM10315DN還支持低�2.5V的柵極驅(qū)�(dòng)電壓,這與�(xiàn)代低壓邏輯電路兼容,從而簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)��
  該器件采用TO-263封裝,這種封裝形式不僅支持高效的熱傳導(dǎo),還允許自動(dòng)化的表面貼裝生產(chǎn),提高了制造效��

�(yīng)�

WNM10315DN適用于多種功率電子領(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)�(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的主�(kāi)�(guān)或同步整流開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換開(kāi)�(guān)�
  5. 逆變器電路中的功率開(kāi)�(guān)�
  由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,WNM10315DN成為許多功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

WNM10320DN, IRFZ44N, FDP5500

wnm10315dn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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