時間�2025/5/8 12:23:14
閱讀�33
WNT2F04-3/TR 是一� N 溝道增強型功� MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor�，廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅動和負載開關等電路中。該器件采用 TO-252 封裝形式，具備低導通電阻和高效率的特�，適用于中小功率應用場合�
最大漏源電壓：40V
連續(xù)漏極電流�1.8A
導通電阻：60mΩ
柵極閾值電壓：2V~4V
功耗：1.4W
工作溫度范圍�-55℃~150�
WNT2F04-3/TR 的主要特性包括以下幾點：
1. 低導通電阻（Rds(on)）：在典型條件下僅為 60mΩ，這有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關速度：由于其�(yōu)化的柵極電荷設計，可以實現快速的開啟與關閉時�，從而降低開關損��
3. 高雪崩能力：能夠承受一定程度的能量沖擊，增強可靠��
4. 小尺寸封裝：TO-252 封裝適合表面貼裝技� (SMT)，便于自動化生產�
5. 熱穩(wěn)定性強：可� -55� � 150� 的寬溫度范圍內正常工�，適應各種環(huán)境條��
6. 符合 RoHS 標準：無鉛設�，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
WNT2F04-3/TR 常用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS)�
� AC-DC � DC-DC 轉換器中作為主開關管或同步整流管使用�
2. 電機驅動�
適用于小型直流電機或步進電機控制中� H 橋配置�
3. 負載開關�
提供高效的負載切換功能以保護后級電路�
4. 電池管理�
用作電池組中的保護元件，避免過流或短路情��
5. 工業(yè)控制�
參與各類工業(yè)設備中的信號放大和功率調節(jié)任務�
IRLZ44N, FDP5500
