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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > WPCE775LA0DG

WPCE775LA0DG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 19:14:59 查看 閱讀�25

WPCE775LA0DG 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式通常為表面貼裝器� (SMD),適用于自動(dòng)化生�(chǎn)�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類工業(yè)控制�(lǐng)��
  這款芯片的主要特�(diǎn)是能夠承受較高的電壓和電�,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�。因�,它非常適合在嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用,例如汽車電子、通信�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能�(zhuǎn)換器和逆變器�

參數(shù)

最大漏源電壓:75V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�85nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:TO-263
  功耗:250W

特�

WPCE775LA0DG 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流條件下保持較低的能量損��
  2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,確??焖俚拈_(kāi)啟與�(guān)斷時(shí)�,減少動(dòng)�(tài)損耗�
  3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,即使在高溫環(huán)境下也能保持可靠的運(yùn)��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,可�(jìn)一步提高電路的整體效率�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. �(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)功能,防止意外情況對(duì)芯片造成損害�

�(yīng)�

WPCE775LA0DG 廣泛�(yīng)用于各種需要高效率功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制系�(tǒng),例如步�(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電�(jī)�
  3. 汽車電子�(shè)備中的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和功率放大器�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相�(guān)�(chǎn)��
  6. 通信基站的電源模塊和配電單元�

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, STP75NF06L, FDP75N06A

wpce775la0dg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)