WPCE775LA0DG 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式通常為表面貼裝器� (SMD),適用于自動(dòng)化生�(chǎn)�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類工業(yè)控制�(lǐng)��
這款芯片的主要特�(diǎn)是能夠承受較高的電壓和電�,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�。因�,它非常適合在嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用,例如汽車電子、通信�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能�(zhuǎn)換器和逆變器�
最大漏源電壓:75V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�85nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-263
功耗:250W
WPCE775LA0DG 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流條件下保持較低的能量損��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,確??焖俚拈_(kāi)啟與�(guān)斷時(shí)�,減少動(dòng)�(tài)損耗�
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,即使在高溫環(huán)境下也能保持可靠的運(yùn)��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,可�(jìn)一步提高電路的整體效率�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. �(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)功能,防止意外情況對(duì)芯片造成損害�
WPCE775LA0DG 廣泛�(yīng)用于各種需要高效率功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制系�(tǒng),例如步�(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電�(jī)�
3. 汽車電子�(shè)備中的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和功率放大器�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相�(guān)�(chǎn)��
6. 通信基站的電源模塊和配電單元�
IRFP2907ZPBF, STP75NF06L, FDP75N06A