WPE12VD3ULA 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率開關器件,廣泛應用于高頻開關電�、DC-DC轉換器和無線充電等場景。該芯片具有出色的導通電阻和快速開關特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小設計尺寸。其封裝形式為超小型表面貼裝器件(SMD�,適用于高密度電路板布局�
型號:WPE12VD3ULA
類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓:600 V
連續(xù)漏極電流�12 A
導通電阻:150 mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�45 nC(典型值)
輸入電容�1500 pF(典型值)
反向恢復時間:無(因無體二極管)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:DFN8
WPE12VD3ULA 的主要特性包括高擊穿電壓、低導通電阻和快速開關速度。它采用了先進的氮化鎵材�,與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,具有更低的開關損耗和更高的工作頻率,這使得它可以用于更緊�、更高效率的電源解決方案�
此外,這款器件沒有體二極管,從而消除了反向恢復損�,進一步提升了效率表現(xiàn)。同時,其超小型封裝設計有助于節(jié)省PCB空間,適合對體積要求嚴格的現(xiàn)代電子設備應��
WPE12VD3ULA 廣泛應用于高頻硬開關和軟開關拓撲�,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源適配�
2. �(shù)�(jù)中心電源
3. 電動車充電設�
4. 無線充電�(fā)射端
5. 工業(yè)� DC-DC 轉換模塊
6. LED 驅動電源
7. 光伏逆變�
由于其高效的性能和高溫穩(wěn)定性,該器件非常適合需要高功率密度和節(jié)能效果的場合�
WPE10VD3UHA, WPE15VD3ULB