WPE15VD3BLA 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率電子元器件,主要用于高頻�、高效率的開關電源應用。該器件采用增強� GaN 場效應晶體管(eGaN FET)技�,具有低導通電阻和快速開關特性,適用于工�(yè)級及消費級電力轉換系�(tǒng)�
該芯片封裝形式為超薄型表面貼裝封�,能夠顯著減少寄生電�,提高整體電路性能�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:35mΩ
柵極驅動電壓�4.5V~6V
工作溫度范圍�-55℃~175�
輸入電容�8nF
反向恢復時間�20ns
WPE15VD3BLA 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:支持高� 600V 的漏源電�,適合高壓應用場景�
2. 超低導通電阻:僅為 35mΩ,可顯著降低功率損耗�
3. 快速開關性能:得益于氮化鎵材料的特�,其反向恢復時間僅為 20ns,能有效減少開關損��
4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在 -55� � +175� 的寬溫范圍內�(wěn)定運��
5. 封裝�(yōu)化:采用超薄� SMD 封裝設計,大幅降低了寄生電感對高頻性能的影��
6. 柵極驅動兼容性好:支� 4.5V � 6V 的標準邏輯電平驅�,簡化了驅動電路設計�
WPE15VD3BLA 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS):� AC/DC � DC/DC 轉換��
2. 電機驅動:包括家用電器、工�(yè)設備中的高效電機控制�
3. 太陽能逆變器:用于光伏系統(tǒng)的能量轉��
4. 電動車充電裝置:如車載充電器和快充樁�
5. �(shù)據中心電源:滿足高性能服務器和網絡設備的供電需��
6. 無線充電模塊:實�(xiàn)高效率的能量傳輸�
WPE15VD3BMA, WPE15VD3BNL