WPMD2013是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
WPMD2013特別適合需要高效能和小封裝的應(yīng)用場�,其出色的熱特性和電氣性能使其成為許多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
型號(hào):WPMD2013
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�80A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�75W
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-220
WPMD2013具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
3. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,從而減小了外部元件的尺��
4. 良好的熱性能,便于散熱設(shè)�(jì),提高了長期�(yùn)行的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
WPMD2013適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
由于其優(yōu)異的電氣特性和封裝形式,WPMD2013能夠在高電流和高電壓�(huán)境下�(wěn)定工作�
IRFZ44N
STP80NF06
FDP17N6