時(shí)間：2022/10/24 16:40:23
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產(chǎn)品型號(hào) | XC4VSX35-11FF668C |
描述 | 集成電路FPGA 448 I/O 668FCBGA |
分類 | 集成電路(IC)，嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) |
產(chǎn)品型號(hào) | XC4VSX35-11FF668C |
描述 | 集成電路FPGA 448 I/O 668FCBGA |
分類 | 集成電路(IC)，嵌入式-FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) |
制造商 | Xilinx公司 |
系列 | Virtex?-4SX |
打包 | Bulk |
零件狀態(tài) | 活性 |
電壓-電源 | 1.14V1.26V |
工作溫度 | 0°C85°C(TJ) |
包裝/箱 | 668-BBGA，F(xiàn)CBGA |
供應(yīng)商設(shè)備包裝 | 668-FCBGA(27x27) |
面向數(shù)字信號(hào)處理(DSP)應(yīng)用的高性能解決方案
Xesium時(shí)鐘技術(shù)
數(shù)字時(shí)鐘管理器(DCM)模塊
附加的相位匹配時(shí)鐘分頻器(PMCD)
差分全局時(shí)鐘
XtremeDSPSlice
18 x 18，二進(jìn)制補(bǔ)碼，帶符號(hào)乘法器
可選的管道階段
內(nèi)置累加器(48位)和加法器/減法器
智能RAM內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)
分布式RAM
雙端口18 Kbit RAM塊·可選的管線級(jí)·可選的可編程FIFO邏輯自動(dòng)將RAM信號(hào)重新映射為FIFO信號(hào)
高速存儲(chǔ)器接口支持DDR和DDR-2 SDRAM，QDR-II和RLDRAM-II。
SelectIO技術(shù)
1.5V至3.3VI / O操作
內(nèi)置ChipSync源同步技術(shù)
數(shù)控阻抗(DCI)有源終端
細(xì)粒度的I / O銀行業(yè)務(wù)(在一個(gè)銀行中進(jìn)行配置)
靈活的邏輯資源
安全芯片AES位流加密
90 nm銅CMOS工藝
1.2V核心電壓
倒裝芯片封裝，包括無鉛封裝選擇
可編程邏輯類型 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
符合REACH | 是 |
狀態(tài) | 活性 |
最大時(shí)鐘頻率 | 1205.0兆赫 |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B668 |
JESD-609代碼 | 00 |
總RAM位 | 3538944 |
CLB數(shù)量 | 3840.0 |
輸入數(shù)量 | 448.0 |
邏輯單元數(shù) | 34560.0 |
輸出數(shù)量 | 448.0 |
端子數(shù) | 668 |
最低工作溫度 | 0℃ |
最高工作溫度 | 85℃ |
組織 | 3840 CLBS |
峰值回流溫度(℃) | 225 |
資格狀態(tài) | 不合格 |
座高 | 2.85毫米 |
子類別 | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
電源電壓標(biāo)稱 | 1.2伏 |
最小供電電壓 | 1.14伏 |
最大電源電壓 | 1.26伏 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
技術(shù) | CMOS |
溫度等級(jí) | 其他 |
終端完成 | 錫/鉛(Sn63Pb37) |
終端表格 | 球 |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
時(shí)間@峰值回流溫度最大值(秒) | 30 |
長度 | 27.0毫米 |
寬度 | 27.0毫米 |
包裝主體材料 | 塑料/環(huán)氧樹脂 |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA668,26X26,40 |
包裝形狀 | 廣場 |
包裝形式 | 網(wǎng)格陣列 |
制造商包裝說明 | FBGA-668 |
