XCAU10P-1SBVB484E 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類開(kāi)關(guān)電路中。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能耗。
其封裝形式緊湊,適合高密度設(shè)計(jì)需求,同時(shí)支持高電流和高電壓操作,為多種工業(yè)及消費(fèi)類電子應(yīng)用提供可靠的解決方案。
類型:功率MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
總功耗(Ptot):180W
結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ 至 175℃
封裝形式:TO-247
XCAU10P-1SBVB484E 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流條件下能有效減少功率損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率。
3. 高耐壓能力,支持高達(dá)60V的工作電壓,適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 緊湊型封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間,便于高密度電路布局。
5. 良好的熱性能,確保在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
這款功率MOSFET芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于高效能量轉(zhuǎn)換。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,控制直流或無(wú)刷電機(jī)的速度和方向。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),實(shí)現(xiàn)充放電保護(hù)功能。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換與保護(hù)。
7. 其他需要大電流和高效率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。
XCAU10P-1SBVB484D, XCAU10P-1SBVB484C