類型：功率MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：30A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4mΩ
　　總功耗(Ptot)：180W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ 至 175℃
　　封裝形式：TO-247

XCAU10P-1SBVB484E 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在高電流條件下能有效減少功率損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)性能，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率。
　　3. 高耐壓能力，支持高達(dá)60V的工作電壓，適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 緊湊型封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間，便于高密度電路布局。
　　5. 良好的熱性能，確保在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 支持寬范圍的工作溫度，適應(yīng)惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
　　7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

這款功率MOSFET芯片適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，用于高效能量轉(zhuǎn)換。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，控制直流或無(wú)刷電機(jī)的速度和方向。
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS），實(shí)現(xiàn)充放電保護(hù)功能。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換與保護(hù)。
　　7. 其他需要大電流和高效率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

XCAU10P-1SBVB484D, XCAU10P-1SBVB484C