XG4M-6030是一種高性能的功率MOSFET器件,基于先�(jìn)的溝槽式工藝制�,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠在高頻工作條件下實(shí)�(xiàn)較低的功率損��
型號:XG4M-6030
類型:N溝道MOSFET
VDS(漏源電壓)�600V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�30mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):18A
Qg(柵極電荷)�55nC
fT(特征頻率)�2.5MHz
封裝形式:TO-247
XG4M-6030采用溝槽式技�(shù)�(shè)�(jì),具備以下顯著特�(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻RDS(on),有助于降低傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
3. 較低的柵極電荷Qg,能夠簡化驅(qū)動電路設(shè)�(jì)并提高效��
4. 高耐壓能力�600V),使其在惡劣環(huán)境下依然�(wěn)定工��
5. 封裝為標(biāo)�(zhǔn)TO-247,易于安裝且散熱性能�(yōu)��
這些特性使得XG4M-6030成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
XG4M-6030廣泛�(yīng)用于各類功率電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如工�(yè)級或消費(fèi)級電源適配器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電子及通信電源系統(tǒng)�
3. 電機(jī)�(qū)動,支持無刷直流電機(jī)控制�
4. UPS不間斷電源系�(tǒng)�
5. 太陽能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
XG4M-6030憑借其高效的性能表現(xiàn),在上述�(yīng)用中提供可靠�(wěn)定的功率處理能力�
XG4M-6035, IRFP460, FQA18N65C