XPC860DCZP25A3是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅動和負載切換等應�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功耗�
這款MOSFET為N溝道增強型場效應晶體�,適合高電流、高頻應用場�。其封裝形式為行�(yè)標準的貼片式封裝,便于自動化生產和散熱管��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�70nC
開關時間:開啟延遲時間:12ns,上升時間:8ns,關斷延遲時間:29ns,下降時間:8ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-263
XPC860DCZP25A3的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關性能,適用于高頻電路設計�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的可靠��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
6. 小型化封�,節(jié)省PCB空間,同時提供良好的散熱性能�
該MOSFET芯片廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC轉換器中的主開關或續(xù)流二極管替代�
3. 電機驅動電路中的功率級控��
4. 各種負載切換場景,如電池管理系統(tǒng)中的電子保險絲�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
6. 汽車電子中的電機控制器和電源管理單元�
XPC860DCZP25A5, XPC860DCZP25B3, IRF840