XPC860PZP50D3是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能量損��
這款器件通過(guò)�(yōu)化柵極電荷和輸出電容�(shè)�(jì),實(shí)�(xiàn)了卓越的�(dòng)�(tài)性能,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和耐受�。XPC860PZP50D3以其高可靠性在工業(yè)控制、汽�(chē)電子及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)��
型號(hào):XPC860PZP50D3
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:50V
最大連續(xù)漏電流:120A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷(Qg):48nC
�(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
XPC860PZP50D3的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅�1.5mΩ,這使得它非常適合大電流應(yīng)用環(huán)�。此�,該芯片擁有快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠有效減少開(kāi)�(guān)損耗,并支持高頻操��
其柵極電荷較低,�48nC,從而降低了�(qū)�(dòng)功耗,提升了整體效�。XPC860PZP50D3還具備優(yōu)秀的熱性能,在高負(fù)載條件下可以保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�
此器件的工作溫度范圍�,從-55℃到+175�,確保了其在極端�(huán)境下的可靠表�(xiàn)。同�(shí),它的高耐壓能力�50V)和大電流承載能力(120A)使其成為多種功率應(yīng)用的理想選擇�
XPC860PZP50D3廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。常�(jiàn)的應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于以下幾種:
1. 高頻�(kāi)�(guān)電源(SMPS),如服�(wù)器電源和通信電源�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于便攜式�(shè)備和電動(dòng)汽車(chē)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,適用于家用電器和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)��
4. 光伏逆變�,以�(shí)�(xiàn)高效的能源管��
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS)和制動(dòng)系統(tǒng)�
由于其高性能和可靠�,XPC860PZP50D3也逐漸被引入新興技�(shù)�(lǐng)域,例如�(wú)人機(jī)、機(jī)器人以及可穿戴設(shè)備中�
XPC860PZP50D5, IRF840, STP120N50