XPC860TCZP50D4是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先進的制造工�,廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場景。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
其封裝形式為TO-252(DPAK�,具備良好的散熱性能,適用于緊湊型設計需求。此�,XPC860TCZP50D4支持高電流處理能�,非常適合對能效和可靠性要求較高的應用�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�35nC
開關時間:t_on=10ns, t_off=15ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
XPC860TCZP50D4具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少導通損耗并提升整體效率�
2. 快速的開關速度,可降低開關損耗,特別適合高頻應用�
3. 高額定電流能力,滿足大功率電路需��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持可靠運行�
5. 小型化封�,節(jié)省空間且易于安裝�
6. 內置ESD保護,增強抗干擾能力,確保長期使用中的穩(wěn)定��
XPC860TCZP50D4適用于以下典型應用場景:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動電路
4. 汽車電子系統(tǒng)
5. 工業(yè)控制設備
6. LED驅動及負載切�
這款器件憑借其卓越的性能表現(xiàn),在需要高效能與高�(wěn)定性的領域中得到了廣泛應用�
XPC860TCZP50D3, XPC850TCZP50D4, IRF540N