XPGDWT-01-0000-00ME3 是一款高性能的功率器�,專為高效率開關電源、電機驅動和工業(yè)控制應用而設�。該芯片采用先進的封裝技�,能夠提供出色的熱性能和電氣特�,適用于需要高可靠性和高功率密度的場景�
其內部集成了功率MOSFET或IGBT,并通過�(yōu)化的設計減少了寄生電感和電阻的影�,從而提升了整體的系�(tǒng)效率�
型號:XPGDWT-01-0000-00ME3
封裝形式:D2PAK (TO-263)
額定電壓�650V
額定電流�40A
Rds(on)�40mΩ
柵極電荷�75nC
開關速度:高�
工作溫度范圍�-55� to +175�
導通電阻溫漂:�
漏源擊穿電壓:≥650V
XPGDWT-01-0000-00ME3 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,額定電壓高�650V,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 超低導通電�,僅�40mΩ,有助于降低傳導損耗并提高效率�
3. 快速開關速度,適合高頻應用場�,減少開關損耗�
4. 集成完善的保護功能,如過流保護和短路保護,提升系�(tǒng)的可靠��
5. 支持寬泛的工作溫度范圍,�-55℃到+175�,適應惡劣環(huán)境需��
6. 封裝采用D2PAK,具備優(yōu)良的散熱性能,可滿足大功率應用需��
7. �(huán)保材料,符合RoHS標準,無鉛無鹵素�
XPGDWT-01-0000-00ME3 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC轉換��
2. 工業(yè)電機驅動和變頻器控制�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
4. 電動�(EV)及混合動力汽�(HEV)中的牽引逆變��
5. 高端家電的電源管理和驅動電路�
6. 各類工業(yè)自動化設備的功率控制模塊�
XPGDWT-02-0000-00ME3, IRFP460, FDP18N65C3