XR19L400IL40-F 是一款高性能、低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),采用先進的制造工�,具有高速訪問和�(wěn)定性能的特�。該芯片主要�(yīng)用于需要快速數(shù)�(jù)讀寫且對功耗要求嚴(yán)格的場景,廣泛用于嵌入式系統(tǒng)、通信�(shè)�、消費電子以及工�(yè)控制等領(lǐng)域�
XR19L400IL40-F 提供了一個容量為 512K x 8 的存儲空�,并通過同步接口實現(xiàn)與外部控制器的高效通信。其封裝形式通常� SOIC � TSSOP,以適應(yīng)不同的應(yīng)用需��
容量�512K x 8 bits
工作電壓�1.7V � 3.6V
訪問時間:最� 10ns
�(shù)�(jù)保持時間:無限期(在�(guī)定的工作電壓范圍�(nèi)�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:SOIC, TSSOP
I/O �(biāo)�(zhǔn):LVTTL/CMOS 兼容
XR19L400IL40-F 芯片具備以下顯著特點�
1. 極低功耗設(shè)計,支持待機模式下的深度睡眠功能,進一步降低能��
2. �(nèi)置自刷新機制,在不使用時能夠自動保存�(shù)�(jù),無需額外的刷新信��
3. 支持高速數(shù)�(jù)傳輸,最大頻率可� 100MHz,滿足實時性要求高的應(yīng)用場景�
4. 強大的抗干擾能力,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運行�
5. 簡化的地址和數(shù)�(jù)總線接口�(shè)�,便于與微控制器� FPGA 集成�
6. 寬泛的工作電壓范�,適�(yīng)多種電源管理方案�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
XR19L400IL40-F 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 嵌入式系�(tǒng)中的緩存和臨時數(shù)�(jù)存儲�
2. 工業(yè)3. 消費類電子產(chǎn)品如打印�、掃描儀等的�(nèi)部緩沖區(qū)�
4. 通信�(shè)備中�(xié)議轉(zhuǎn)換及�(shù)�(jù)包處理的中間存儲�
5. �(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵參�(shù)保存單元�
6. 物聯(lián)�(wǎng)終端節(jié)點的本地�(shù)�(jù)暫存區(qū)域�
XR19L400IM40-F, IS61WV51216BLL-10N, CY7C1041DV33-10SC