YFW5N65AF是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等高效率電子電路中。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中提供�(yōu)異的性能�
最大漏源電壓:650V
最大漏極電流:5A
�(dǎo)通電阻:1.2Ω
柵極閾值電壓:2V~4V
輸入電容�700pF
總功耗:38W
工作溫度范圍�-55℃~150�
YFW5N65AF具備高耐壓能力,適合在高壓�(huán)境中使用。其低導(dǎo)通電阻設(shè)計有助于減少功率損�,提高整體效率�
此外,該器件的快速開�(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)用場�。其封裝形式通常為TO-220,易于安裝且散熱性能良好�
MOSFET的柵極驅(qū)動要求較�,能夠與各種�(qū)動電路兼�。同�,它還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,確保長時間運行下的性能表現(xiàn)�
YFW5N65AF主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器、電機驅(qū)動器以及各類工業(yè)控制�(shè)備中�
在消費類電子�(chǎn)品領(lǐng)�,它可被用于筆記本適配器、LED�(qū)動電源等場景�
由于其高耐壓特�,在電動汽車充電�、太陽能逆變器等新能源相�(guān)�(chǎn)品中也有廣泛�(yīng)��
IRF540N
STP5NK60Z
FQP18N65C
IXFN50N65B