YSESD3Z05BT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生產的低電容雙� TVS(瞬�(tài)電壓抑制器)二極管。該器件主要用于保護敏感的電子電路免受靜電放電(ESD�、電氣快速瞬變(EFT)和其他瞬態(tài)過壓事件的影��
它具有超低電容特性,非常適合高速數據線路的應用場景。此外,YSESD3Z05BT1G 符合 AEC-Q101 標準,適用于汽車級應��
工作電壓�5V
反向 standoff 電壓�5.8V
最大箝位電壓:21V
峰值脈沖電流:9.1A
結電容:0.35pF
響應時間:≤1ps
封裝形式:SOD-962 (X2B)
工作溫度范圍�-55� � +150�
YSESD3Z05BT1G 的主要特性包括:
1. 雙向 TVS 設計,提供對稱的過壓保護功能�
2. 極低的結電容(僅 0.35pF),適合高速信號線�,如 USB、HDMI 和以太網�
3. 快速響應時間(�1ps),能夠迅速抑制瞬�(tài)電壓尖峰�
4. 高浪涌耐受能力(峰值脈沖電流可� 9.1A)�
5. 汽車級可靠�,滿� AEC-Q101 標準要求�
6. 小型化封裝(SOD-962�,有助于節(jié)� PCB 空間�
7.各種嚴苛�(huán)��
YSESD3Z05BT1G 廣泛應用于需要高可靠性和低電容特性的場合,典型應用包括:
1. 高速數據接口保�,如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 和以太網�
2. 汽車電子系統(tǒng)中的 ESD 保護,例� CAN 總線、LIN 總線和車載信息娛樂系�(tǒng)�
3. 移動設備中的射頻前端保護�
4. 工業(yè)控制設備中的通信端口保護�
5. 無線模塊(如 Wi-Fi、藍牙)的天線端口保��
YSESD3Z05FT1G, YSESD3Z05CT1G