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ZVN2110ASTZ 發(fā)布時間 時間:2023/9/1 17:51:21 查看 閱讀:438

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 歐姆 @ 1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:320mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :75pF @ 25V
功率 - 最大:700mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)準(zhǔn)主體),TO-226
包裝:帶卷 (TR)

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

zvn2110astz參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C320mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 歐姆 @ 1A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds75pF @ 25V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-92-3
  • 包裝帶卷 (TR)