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ZVN4210A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/8/14 17:47:00 查看 閱讀：317

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 歐姆 @ 1.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：450mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：100pF @ 25V
功率 - 最大：700mW
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-92-3（標(biāo)準(zhǔn)主體），TO-226
包裝：散裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*

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  • 產(chǎn)品型號
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  • 詢價(jià)

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zvn4210a參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C450mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.5 歐姆 @ 1.5A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.4V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds100pF @ 25V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-92-3
  • 包裝散裝