�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�330 毫歐 @ 3A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�1.1A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�3V @ 1mA
閘電�(Qg) @ Vgs�-
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �350pF @ 25V
功率 - 最大:850mW
安裝�(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)�(zhǔn)主體),TO-226
包裝:散�