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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > ZVNL120G

ZVNL120G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 14:54:13 查看 閱讀�38

ZVNL120G是一種N溝道邏輯增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于低電壓應用場�。它具有極低的導通電阻和快速開關性能,廣泛用于負載開�、同步整流器、降壓轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的場��
  該器件采用了先進的工藝技�(shù)設計,能夠在低柵極驅(qū)動電壓下實現(xiàn)�(yōu)異的性能表現(xiàn)。其封裝形式為SOT-23,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)使��

參數(shù)

最大漏源電�(V_DS)�20V
  最大柵源電�(V_GS):�8V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�1.4A
  導通電�(R_DS(on))�95mΩ @ V_GS=4.5V
  柵極電荷(Q_g)�4nC
  總電�(C_iss)�73pF
  工作�(jié)溫范�(T_j)�-55� � +150�

特�

ZVNL120G具備以下主要特點�
  1. 極低的導通電阻R_DS(on),可有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 支持低至1.8V的柵極驅(qū)動電�,非常適合鋰電池供電或便攜式設備中的應用�
  3. 快速開關能力,有助于減少開關損��
  4. 小尺寸SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間,滿足緊湊型設計需��
  5. 高可靠性和�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持良好的性能�

應用

ZVNL120G適用于多種電子電路中,包括但不限于以下領域:
  1. 手機、平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中的負載開關�
  2. 同步整流器和DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和控制開關�
  4. LED�(qū)動電路中的調(diào)節(jié)開關�
  5. 其他低功耗、高效率要求的應用場��

替代型號

ZVN2106A
  Si2302DS
  FDC6572A

zvnl120g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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zvnl120g參數(shù)

  • 典型關斷延遲時間20 ns
  • 典型接通延遲時�8 ns
  • 典型輸入電容值@Vds85 pF V @ 25
  • 安裝類型表面貼裝
  • 寬度3.7mm
  • 封裝類型SOT-223
  • 尺寸6.7 x 3.7 x 1.65mm
  • 引腳�(shù)�4
  • 最低工作溫�-55 °C
  • 最大功率耗散2 W
  • 最大柵源電�±20 V
  • 最大漏源電�200 V
  • 最大漏源電阻�10
  • 最大連續(xù)漏極電流0.32 A
  • 最高工作溫�+150 °C
  • 每片芯片元件�(shù)�1
  • 類別功率 MOSFET
  • 通道模式增強
  • 通道類型N
  • 配置雙漏極、單
  • 長度6.7mm
  • 高度1.65mm