ZVNL120G是一種N溝道邏輯增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于低電壓應用場�。它具有極低的導通電阻和快速開關性能,廣泛用于負載開�、同步整流器、降壓轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的場��
該器件采用了先進的工藝技�(shù)設計,能夠在低柵極驅(qū)動電壓下實現(xiàn)�(yōu)異的性能表現(xiàn)。其封裝形式為SOT-23,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)使��
最大漏源電�(V_DS)�20V
最大柵源電�(V_GS):�8V
連續(xù)漏極電流(I_D)�1.4A
導通電�(R_DS(on))�95mΩ @ V_GS=4.5V
柵極電荷(Q_g)�4nC
總電�(C_iss)�73pF
工作�(jié)溫范�(T_j)�-55� � +150�
ZVNL120G具備以下主要特點�
1. 極低的導通電阻R_DS(on),可有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 支持低至1.8V的柵極驅(qū)動電�,非常適合鋰電池供電或便攜式設備中的應用�
3. 快速開關能力,有助于減少開關損��
4. 小尺寸SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間,滿足緊湊型設計需��
5. 高可靠性和�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持良好的性能�
ZVNL120G適用于多種電子電路中,包括但不限于以下領域:
1. 手機、平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中的負載開關�
2. 同步整流器和DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和控制開關�
4. LED�(qū)動電路中的調(diào)節(jié)開關�
5. 其他低功耗、高效率要求的應用場��
ZVN2106A
Si2302DS
FDC6572A