類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 歐姆 @ 50mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:70mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :50pF @ 25V
功率 - 最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)準(zhǔn)主體),TO-226
包裝:散裝