ZVP3310F是一種N溝道增強型垂直擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管(VDMOSFET�,由Diodes Incorporated生產(chǎn)。這種MOSFET通常用于高頻開關和功率管理應用,具有低導通電阻和高開關速度的特�。其封裝形式為SOT-223,適用于空間有限的電路設��
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�6.5A
導通電阻:0.07Ω(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗:18W
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
ZVP3310F具備�(yōu)異的電氣性能,包括低導通電阻以減少功率損�,以及快速開關能力以適應高頻應用�
該器件采用SOT-223封裝,具有良好的散熱性能,并且能夠承受較高的結溫�
ZVP3310F還擁有堅固的設計,可提供更高的可靠性和�(wěn)定�,適合于各種惡劣�(huán)境下的應��
ZVP3310F廣泛應用于直流電機驅(qū)動、開關電源(SMPS�、負載開關、電池保護電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
由于其出色的開關特性和較低的導通電�,這款MOSFET特別適合要求低功耗和高效率的便攜式電子設備中使用�
此外,它也常被用作信號切換元件或在音頻放大器中作為輸出級開關�
ZVP3310A