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ZVP4525E6TA
時間�2023/8/11 16:52:06
閱讀�259
概述
制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶體管極性:P-Channel
電阻汲極/源極RDS(導通)�14Ohms
汲極/源極擊穿電壓�-250V
�/源擊穿電壓:+/-40V
漏極連續(xù)電流�-197mA
功率耗散�1.1W
最大工作溫度:+150�
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
StandardPackQty�3000
zvp4525e6ta推薦供應(yīng)�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應(yīng)�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
zvp4525e6ta參數(shù)
- 標準包裝3,000
- 類別分離式半導體�(chǎn)�
- 家庭FET - �
- 系列-
- FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 特點邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)250V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C197mA
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 歐姆 @ 200mA�10V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
- 閘電�(Qg) @ Vgs3.45nC @ 10V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds73pF @ 25V
- 功率 - 最�1.1W
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SOT-23-6
- 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-6
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱ZVP4525E6TR