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ZXM64P035GTA 發(fā)布時間 時間�2023/8/18 17:13:11 查看 閱讀�237

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�75 毫歐 @ 2.4A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�35V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�3.8A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�46nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �825pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:SOT-223 (3 引線 + 接片), SC-73, TO-261
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:*
其它名稱:ZXM64P035GTR

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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zxm64p035gta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)35V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫歐 @ 2.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds825pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXM64P035GTR