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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > ZXM66P02N8TA

ZXM66P02N8TA 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 17:52:59 查看 閱讀�11

ZXM66P02N8TA是一款由Diodes公司生產(chǎn)的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-252(DPAK)封裝形式,適用于需要高效率和低功耗的開關(guān)�(yīng)用。ZXM66P02N8TA具有出色的電氣特性和可靠�,適合用于工�(yè)、消�(fèi)電子以及汽車�(lǐng)域中的電源管理電路�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,其工作電壓范圍寬廣,能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它還具備較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源極電壓�80V
  最大連續(xù)漏極電流�6.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):170mΩ
  柵極-源極電壓(Vgs):±20V
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝類型:TO-252(DPAK)
  �(jié)溫:175�

特�

ZXM66P02N8TA的主要特�(diǎn)是其高壓性能與較低的�(dǎo)通電阻相�(jié)�,這使得它非常適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�
  1. 高擊穿電壓(80V)確保了該器件在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(170mΩ@Vgs=10V)有效減少了傳導(dǎo)損�,從而提升了系統(tǒng)的整體效��
  3. 寬廣的工作溫度范圍(-55℃至+175℃)使該器件能夠適應(yīng)各種極端條件�
  4. 小型化的TO-252封裝有助于節(jié)省PCB空間,并且提供了良好的散熱性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對綠色�(huán)保的要求�

�(yīng)�

由于其優(yōu)異的電氣特性和封裝�(yōu)�,ZXM66P02N8TA廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配�、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用作同步整流或降壓/升壓�(zhuǎn)換中的開�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于小型直流電�(jī)控制�
  4. 背光�(qū)�(dòng):為LED背光提供高效的驅(qū)�(dòng)方案�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、繼電器�(qū)�(dòng)等�
  6. 汽車電子:適用于車身控制模塊、照明系�(tǒng)以及其他車載電子�(shè)備中�

替代型號

ZXM66P02N8T4
  ZXM66P02N8TAH

zxm66p02n8ta推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
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zxm66p02n8ta�(chǎn)�

zxm66p02n8ta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 3.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs43.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2068pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.56W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXM66P02N8TR