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ZXMD63P03XTA 發(fā)布時間 時間：2023/8/15 11:59:07 查看 閱讀：243

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號

目錄

概述

制造商：DiodesInc.
產(chǎn)品種類：MOSFET小信號
RoHS：是
配置：DualDualDrain
晶體管極性：P-Channel
電阻汲極/源極RDS（導(dǎo)通）：0.27Ohms
汲極/源極擊穿電壓：-30V
閘/源擊穿電壓：+/-20V
漏極連續(xù)電流：2A
功率耗散：0.87W
最大工作溫度：+150C
安裝風格：SMD/SMT
封裝/箱體：MSOP-8
封裝：Reel
最小工作溫度：-55C
StandardPackQty：1000

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zxmd63p03xta參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個 P 溝道（雙）
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C185 毫歐 @ 1.2A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V
  • 功率 - 最大870mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-MSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXMD63P03XTR