ZXMHC6A07N8是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的高壓MOSFET芯片,采用TO-Leadless封裝形式。該器件屬于OptiMOS系列,適用于高效率、高功率密度的應(yīng)用場�。其�(shè)計針對開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)�,能夠提供卓越的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:350mΩ(典型值)
柵極電荷�19nC(典型值)
輸入電容�420pF(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
ZXMHC6A07N8具有以下顯著特點�
1. 高擊穿電壓(700V�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損耗并提升整體效率�
3. 超低柵極電荷與輸出電�,可實現(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
4. 熱增�(qiáng)型TO-Leadless封裝,具備出色的散熱性能,提高了功率密度�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
6. �(yōu)異的雪崩能力,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐受��
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配器和充電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于工�(yè)和汽車電子系�(tǒng)�
3. 電機(jī)�(qū)�,例如家用電器中的無刷直流電�(jī)控制�
4. 能量存儲系統(tǒng)中的電力管理模塊�
5. 太陽能微型逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
ZXMHC6A08N8D, IRFP260N, STP70NF06