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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/8/11 16:50:34 查看 閱讀�292

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:DiodesInc.

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

RoHS:是

配置:SingleQuadDrain

晶體管極性:N-Channel

電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.25Ohms

汲極/源極擊穿電壓�100V

�/源擊穿電壓:+/-20V

漏極連續(xù)電流�1.9A

功率耗散�1.1W

最大工作溫度:+150�

安裝�(fēng)格:SMD/SMT

封裝/箱體:SOT-23-6

封裝:Reel

最小工作溫度:-55�

StandardPackQty�10000


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zxmn10a08e6tc參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 3.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds405pF @ 50V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-6
  • 包裝帶卷 (TR)