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片式鋁電解電�
閱讀�6137�(shí)間:2017-06-08 09:45:14

    片式鋁電�電容是一�電容�用具�

制造過(guò)程包括九�(gè)步驟

    步:鋁箔的腐��
    假如拆開(kāi)一�(gè)鋁電解液電容的外�,你�(huì)看到里面是若干層鋁箔和若干層電解�,鋁箔和電解紙貼附在一�,卷繞成筒狀的結(jié)�(gòu),這樣�?jī)蓪愉X箔中間就是一層吸附了電解液的電解紙了�
    因此首先我們談?wù)勪X箔的制造方�。為了增大鋁箔和電解�(zhì)的接觸面積,電容中的鋁箔的表面并不是光滑�,而是�(jīng)�(guò)電化腐蝕法,使其表面形成凹凸不平的形狀,這樣能夠增大7~8倍的表面�。普通鋁箔一平方米的�(jià)格在10元人民幣左右,而經(jīng)�(guò)這道工藝之后,它的價(jià)格將升到40~50�/平米。電化腐蝕的工藝是比較復(fù)雜的,其中涉及到腐蝕液的種類(lèi)、濃�、鋁箔的表面狀�(tài)、腐蝕的速度、電壓的�(dòng)�(tài)平衡等等。我們國(guó)家目前在這方面的制造工藝還不夠成熟,因此用于制造電容的�(jīng)�(guò)電化腐蝕的鋁箔目前還主要依賴�(jìn)��
    第二步:氧化膜形成工藝�
    鋁箔�(jīng)�(guò)電化腐蝕�,就要使用化�(xué)辦法,將其表面氧化成三氧化二鋁——也就是鋁電解電容的介質(zhì)。在氧化之后,要仔細(xì)檢查三氧化二鋁的表面,看是否有斑�(diǎn)或者龜�,將不合格的排除在外�
    第三步:鋁箔的切��
    這�(gè)步驟很容易理�。就是把一整塊鋁箔,切割成若干小塊,使其適合電容制造的需��
    第四步:引線的鉚接�
    電容外部的引腳并不是直接連到電容�(nèi)�,而是通過(guò)�(nèi)引線與電容內(nèi)部連接�。因�,在這一步當(dāng)中我們就需要將�(yáng)極和陰極的內(nèi)引線,與電容的外引線通過(guò)超聲波鍵合法連接在一�。外引線通常采用鍍銅的鐵線或者氧化銅線以減少電阻,而內(nèi)引線則直接采用鋁線與鋁箔直接相�。大家注意這些小小的步驟無(wú)一不對(duì)精密加工要求很高�
    第五步:電解紙的卷繞�
    電容中的電解液并非直接灌�(jìn)電容,呈液態(tài)浸泡住鋁�,而是通過(guò)吸附了電解液的電解紙與鋁箔層層貼合。這當(dāng)�,選用的電解紙與普通紙張的配方有些不同,是呈微孔狀的,紙的表面不能有雜�(zhì),否則將影響電解液的成分與性能。而這一步,就是將沒(méi)有吸附電解液的電解紙,和鋁箔貼在一�,然后卷�(jìn)電容外殼,使鋁箔和電解紙形成�(lèi)似�101010”的間隔狀�(tài)�
    第六步:電解液的浸漬�
    �(dāng)電解紙卷繞完畢之�,就將電解液灌�(jìn)�,使電解液浸漬到電解紙上。隨著電解液配方的改�(jìn)以及電解紙制造技�(shù)的提�,如今鋁電解液電容的ESR值也逐漸得以提升,變成以前的若干分之一�
    第七步:裝配�
    這一步就是將電容外面的鋁殼裝配上,同�(shí)連接外引�,電容到這時(shí)已經(jīng)基本成型了�
    第八步:卷邊�
    如果是那種“包皮”電�,就需要經(jīng)�(guò)這一�,將電容外面包覆的PVC膜套在電容鋁殼外�。不�(guò)如今使用PVC膜的電容已經(jīng)越來(lái)越少,主要原因在于這種材料并不符合�(huán)保的趨勢(shì),而和性能表現(xiàn)�(méi)有太大關(guān)��
    第九步:組合裝配�
    如果是直插封裝,就不需要經(jīng)�(guò)這步
    這是片式鋁電解電容制造的一�。這一步就是將SMT片式封裝工藝所需要的黑色塑料底板元件裝在電容底部。對(duì)元件的要�,首先是密封效果要好;第二是耐熱性能要好;第三還要具備耐化�(xué)�,不能和電容�(nèi)部的電解液一�(lèi)物質(zhì)�(chǎn)生化�(xué)反應(yīng)。這塊小塑料板叫做“端子板�,其制造精度要求是非常高,�?yàn)橐坏┐笮〔缓线m,要么影響電容的密封性(�(guò)小),或者阻擋PCB上電容附近其它元件的裝配(過(guò)大)�

回流焊條�

    回流焊適用于貼片式鋁電解電容.
    回流焊條�:
    1. �(yīng)采用紅外線或熱風(fēng)回流焊還�,而不宜采用汽相加熱回流焊�.
    2. 回流焊次�(shù)最�2�,�(qǐng)確保在次和第二次之間�(chǎn)品有足夠的冷卻時(shí)�.
    3. �150 C�200C的預(yù)熱時(shí)間在180秒以�(nèi):電容器頂部溫度超�(guò)217C的焊接時(shí)間不得超�(guò)tL (�);電容器頂部的峰值溫度不得好�(guò)TP(C),�5C范圍�(nèi)的實(shí)際峰值溫度時(shí)間不得超�(guò)tp (�).
    4. 溫度上升平均每秒最�3C.
    5. 溫度下降平均每秒最�6C.
    6. �25C上升到峰值溫度的�(shí)間最�8分鐘.

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