IGBT技�(shù)不能落后于應(yīng)用要�。因此,英飛凌推出了一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需�。與逆變器設(shè)計應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開�(guān)速度和軟度要求是推動這些不同型號器件�(yōu)化的主要動力。這些型號包括具備快速開�(guān)特性的T4芯片、具備軟開關(guān)特性的P4芯片和開�(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片�
隨著雜散電感的增�,IGBT的開通損耗會降低,二極管損耗則會增�。雜散電感還可能�(dǎo)致振�,比如由電流突變引起的振�,這可能導(dǎo)致由于EMI或過壓限制而引起的器件使用受限�
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