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快閃存儲�
閱讀�2932時間�2017-08-07 11:27:58

    快閃存儲�(flash EPROM)是電子可擦除可編程只讀存儲�(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形�??扉W存儲器允許在操作中多次擦�?qū)?,并具有非易失性,即單指保�?shù)�(jù)而言,它并不需要耗電??扉W存儲器和傳統(tǒng)的EEPROM不同在于它是以較大區(qū)塊�(jìn)行數(shù)�(jù)抹擦,而傳�(tǒng)的EEPROM只能�(jìn)行擦除和重寫單個存儲位�。這就使得快閃在寫入大量數(shù)�(jù)時具有顯著地�(yōu)��

目錄

概述

    閃存具有較快的讀取速度,其讀取時間小�100ns,這個速度可以和主存儲器相�。但是由于它的寫入操作比較復(fù)�,花�(fèi)時間較長。而與硬盤相比,閃存的動態(tài)抗震能力更強(qiáng),因此它非常適合用于移動�(shè)備上,例如筆記本電腦、相�(jī)和手�(jī)�。閃存的一個典型應(yīng)用USB盤已�(jīng)成為�(jì)算機(jī)系統(tǒng)之間傳輸�(shù)�(jù)的流行手��

限制

    限制之一:區(qū)塊擦�

    作為新型的EEPROM,閃存擦除已保存的數(shù)�(jù)不是以單個存儲位置為單位,而必須是以一個區(qū)塊為單位�(jìn)�。也就是�,閃存支持隨�(jī)讀取和寫入,但是不允許隨機(jī)改寫。一般來說都是設(shè)置某一區(qū)中的所有位為�1”,剛開始區(qū)塊內(nèi)的所有部份都可以寫入,然而當(dāng)有任何一個位被設(shè)為�0”時,就只能借由清除整個區(qū)塊來回復(fù)�1”的狀�(tài)�

    限制之二:有限次的擦�

    閃存的擦除次�(shù)有有�,從10 000次到1百萬次不等。盡管可以通過耗損平衡以及壞區(qū)管理等技�(shù)延長其使用壽�,但是這個限制也決定了閃存不適用于大量數(shù)�(jù)讀寫循�(huán)的高可靠性數(shù)�(jù)存儲�(yīng)用�

維庫電子�,電子知識,一查百��

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