簡單地說:�(nèi)存之所以能存儲資料,就是�?yàn)橛辛诉@些芯片�
根據(jù)品牌的不�,所采用的芯片亦有所區(qū)�,具體的識別辦法是:
�(nèi)存芯�
�(nèi)存芯�
主要含義�
�1位——芯片功能K,代表是�(nèi)存芯片�
�2位——芯片類�4,代表DRAM�
�3位——芯片的更�(jìn)一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM�
�4�5位——容量和刷新速率,容量相同的�(nèi)存采用不同的刷新速率,也會使用不同的編號�64�62�63�65�66�67�6A代表64Mbit的容��28�27�2A代表128Mbit的容��56�55�57�5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容��
�6�7位——數(shù)�(jù)線引腳�(gè)�(shù)�08代表8位數(shù)�(jù)�16代表16位數(shù)�(jù)�32代表32位數(shù)�(jù)�64代表64位數(shù)�(jù)�
�11位——連線�-��
�14�15位——芯片的速率,如60�6ns�70� 7ns�7B�7.5ns (CL=3)�7C�7.5ns (CL=2) �80� 8ns�10 �10ns (66MHz)�
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義,拿到一�(gè)�(nèi)存條后就非常容易�(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR�(nèi)�,使�16片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4�5位�28”代表該顆粒�128Mbits,第6�7位�08”代表該顆粒�8位數(shù)�(jù)帶寬,這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits(兆�(shù)位) × 16�/8bits=256MB(兆字節(jié)��
注:“bit”為“數(shù)位�,“B”即字節(jié)“byte”,一�(gè)字節(jié)�8位則�(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的�(jì)�,文中所舉的例子中有兩種情況:一種是非ECC�(nèi)存,�8�8位數(shù)�(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)�;另一種ECC�(nèi)�,在�64位數(shù)�(jù)之后,還增加�8位的ECC校驗(yàn)�。通過校驗(yàn)碼,可以檢測出內(nèi)存數(shù)�(jù)中的兩位�(cuò)�,糾正一位錯(cuò)�。所以在�(shí)際計(jì)算容量的過程�,不�(jì)算校�(yàn)�,具有ECC功能�18片顆粒的�(nèi)存條�(shí)際容量按16乘。在購買�(shí)也可以據(jù)此判�18片或�9片內(nèi)存顆粒貼片的�(nèi)存條是ECC�(nèi)��
Hynix(Hyundai)�(xiàn)�
Hynix(Hyundai)�(xiàn)�
�(xiàn)代內(nèi)存的含義�
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現(xiàn)代的�(chǎn)�
2、內(nèi)存芯片類型:(57=SDRAM�5D=DDR SDRAM)�
3、工作電壓:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率�16=16Mbits�4K Ref�64=64Mbits�8K Ref�65=64Mbits�4K Ref�128=128Mbits�8K Ref�129=128Mbits�4K Ref�256=256Mbits�16K Ref�257=256Mbits�8K Ref
5、代表芯片輸出的�(shù)�(jù)位寬�40�80�16�32分別代表4��8��16位和32�
6、BANK�(shù)量:1�2�3分別代表2�(gè)�4�(gè)�8�(gè)Bank,是2的冪次關(guān)�
7、I/O界面�1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片內(nèi)核版本:可以為空白或A、B、C、D等字母,越往后代表內(nèi)核越�
9、代表功耗:L=低功耗芯�,空�=普通芯�
10、內(nèi)存芯片封裝形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-�,TD=13mm TSOP-�,TG=16mm TSOP-�
11、工作速度�55 :183MHZ�5 :200MHZ�45 :222MHZ�43 :233MHZ�4 :250MHZ�33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
I
nfineon(億恒)
Infineon(億恒)
Infineon是德國西門子的一�(gè)分公�,目前國�(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量:容量�128Mbits的顆粒和容量�256Mbits的顆�。編號中詳細(xì)列出了其�(nèi)存的容量、數(shù)�(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每�(gè)顆粒�4�(gè)Bank組成。所以其�(nèi)存顆粒型號比較少,辨別也是最容易的�
HYB39S128400�128MB/ 4bits,�128”標(biāo)識的是該顆粒的容�,后三位�(biāo)識的是該�(nèi)存數(shù)�(jù)寬度。其它也是如�,如:HYB39S128800�128MB/8bits;HYB39S128160�128MB/16bits;HYB39S256800�256MB/8bits�
Infineon�(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號加一短線,然后標(biāo)上工作速率�
-7.5——表示該�(nèi)存的工作頻率�133MHz�
-8——表示該�(nèi)存的工作頻率�100MHz�
例如�
1條Kingston的內(nèi)存條,采�16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生�(chǎn)。其容量�(jì)算為� 128Mbits(兆�(shù)位)×16�/8=256MB(兆字節(jié))�
1條Ramaxel的內(nèi)存條,采�8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生�(chǎn)。其容量�(jì)算為� 128Mbits(兆�(shù)位) × 8 �/8=128MB(兆字節(jié)��
KINGMAX、kti
KINGMAX�(nèi)存的說明
Kingmax�(nèi)存都是采用TinyBGA封裝(Tiny ball grid array�。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品,所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax�(nèi)存顆粒有兩種容量�64Mbits�128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出��
容量備注�
KSVA44T4A0A—�64Mbits�16M地址空間 × 4位數(shù)�(jù)寬度�
KSV884T4A0A—�64Mbits�8M地址空間 × 8位數(shù)�(jù)寬度�
KSV244T4XXX—�128Mbits�32M地址空間 × 4位數(shù)�(jù)寬度�
KSV684T4XXX—�128Mbits�16M地址空間 × 8位數(shù)�(jù)寬度�
KSV864T4XXX—�128Mbits�8M 地址空間 × 16位數(shù)�(jù)寬度�
Kingmax�(nèi)存的工作速率有四種狀�(tài),是在型號后用短線符號隔開標(biāo)識內(nèi)存的工作速率�
-7A——PC133 /CL=2�
-7——PC133 /CL=3�
-8A——PC100/ CL=2�
-8——PC100 /CL=3�
例如一條Kingmax�(nèi)存條,采�16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制�,其容量�(jì)算為� 64Mbits(兆�(shù)位)×16�/8=128MB(兆字節(jié)��
Micron(美光)
Micron(美光)
以MT48LC16M8A2TG-75這�(gè)編號來說明美光內(nèi)存的編碼�(guī)��
含義�
MT——Micron的廠商名��
48——內(nèi)存的類型�48代表SDRAM�46 代表DDR�
LC——供電電�。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V�
16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits,計(jì)算方法是�16M(地址)�8位數(shù)�(jù)寬度�
A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號�
TG——封裝方式,TG即TSOP封裝�
-75——內(nèi)存工作速率�-75�133MHz�-65�150MHz�
�(shí)例:一條Micron DDR�(nèi)存條,采�18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制�。該�(nèi)存支持ECC功能。所以每�(gè)Bank是奇�(shù)片內(nèi)存顆��
其容量計(jì)算為:容�32M ×4bit ×16 �/ 8=256MB(兆字節(jié))�
Winbond(華邦)
含義說明�
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表�(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn)
2、代表顯存類型:98為SDRAM�94為DDR RAM?
3、代表顆粒的版本號:常見的版本號為B和H�
4、代表封�,H為TSOP封裝,B為BGA封裝,D為LQFP封裝
5、工作頻�:0�10ns�100MHz�8�8ns�125MHz;Z�7.5ns�133MHz;Y�6.7ns�150MHz�6�6ns�166MHz�5�5ns�200MHz