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P型半導體
閱讀�23877時間�2017-11-30 10:20:31

P�半導�,也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大于自由電子濃度�雜質(zhì)半導�

特點

  半導體中有兩種載流子:導帶中的電子和價帶中的空穴。如果某一類型半導體的導電性主要依靠價帶中的空�,則該類型的半導體就稱為P型半導體�
  “P”表示正電的意�,取自英文Positive的個字�。在這類半導體中,參與導電的(即電荷載�)主要是帶正電的空穴,這些空穴來自半導體中的受�。因此凡摻有受主雜質(zhì)或受主數(shù)量多于施主的半導體都是p型半導體。例�,含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體�
  由于P型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故P型半導體呈電中�??昭ㄖ饕呻s�(zhì)原子提供,自由電子由熱激�(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電性能就越��

形成原理

  要產(chǎn)生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼�,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半導體。對于Ⅳ族元�,半導體(鍺、硅�)需進行Ⅲ族元素的摻�;對于�-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵),常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃�;在離子晶體型氧化物半導體中,化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流�,氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴,Cu2O、NiO、VO2等均是該類型的P型半導體,且當它們在氧壓中加熱后,空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺�,均稱受��

維庫電子�,電子知識,一查百��

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