密勒電容就是跨接�放大�(放大工作的器件或者電路)的輸出端與輸入端之間的電�。密勒電容對于器件或者電路的頻率特性的影響即稱為密勒效�(yīng)�
密勒電容就是跨接在放大器(放大工作的器件或者電路)的輸出端與輸入端之間的電�。密勒電容對于器件或者電路的頻率特性的影響即稱為密勒效�(yīng)�
密勒效應(yīng)是通過放大輸入電容來起作用�,即密勒電容C可以使得器件或者電路的等效輸入電容增大(1+Av)�,Av是電壓增益。因此很小的密勒電容即可造成器件或者電路的頻率特性大大降��
采用平衡法或中和法可以適�(dāng)?shù)販p弱密勒電容的影響。該方法即是在晶體管的輸出端與輸入端之間連接一�(gè)所謂中和電�,并且讓該中和電容上的電壓與密勒電容上的電壓相位相反,使得通過中和電容的電流恰恰與通過密勒電容的電流方向相�,以�(dá)到相互抵消的目的;當(dāng)然,為了有效地抑制密勒效�(yīng),即�(yīng)該要求中和電容與密勒電容正好完全匹配(實(shí)際上,由于作為密勒電容的晶體管輸出電容往往與電壓有�(guān),所以很難完全實(shí)�(xiàn)匹配,因此需要�(jìn)行多種改�(jìn))�
密勒電容對器件的頻率特性有直接的影響:
�1)對于BJT的影響:
在共射(CE)組�(tài)�,集電結(jié)電容勢壘電容正好是密勒電容,故CE組態(tài)的工作頻率較�。而在共基極(CB)組�(tài)�,集電結(jié)和發(fā)射結(jié)的勢壘電容都不是密勒電容,故CB組態(tài)的頻率特性較�,工作頻率高、頻帶寬。因�,把CE與CB組態(tài)�(jié)合起�,即可既提高了增�(CE的作�),又改善了頻率特性(CB的作用)。對于由CC和CE組態(tài)�(gòu)成的�(dá)林頓�,情況與CE組態(tài)相同,故頻率特性較差。而對于CC-CE�(fù)合管,因?yàn)槿サ袅嗣芾针娙荩暑l率特性較��
�2)對于MOSFET的影響:
MOSFET的輸出電容是柵極與漏極之間的覆蓋電容Cdg。在共源組態(tài)�,Cdg正好跨接在輸入端(柵極)與輸出端(漏極)之間,故密勒效應(yīng)使得等效輸入電容增大,導(dǎo)致頻率特性降�。在共柵極組�(tài)�,Cdg不是密勒電容,故頻率特性較�。對于MOSFET的共�-共柵組態(tài),則既提高了增益(等于兩級增益的乘積,共源組�(tài)起主要作用),又改善頻率特性(共柵極組�(tài)起主要作用),從而可�(shí)�(xiàn)高增益、高速度和寬頻帶�
密勒電容也具有一定的好處,例如:� 采用較小的電容來獲得較大的電容(例如制作頻率�(bǔ)償電容),這種技�(shù)在IC�(shè)�(jì)中具有重要的意義(可以減小芯片面積);② 獲得可控電容 (例如受電壓或電流控制的電�) �