PowerMOSFET有三�(gè)�,即源極(S)、漏�(D)和柵�(G)。控制信�(hào)“GS加于柵極和源極之�,改�(dòng)UGS的大小,便可改動(dòng)漏極電流ID的大�。由于柵—源極之間的阻抗十分大,因而控制電流能夠極�,簡(jiǎn)直為0,所以驅(qū)�(dòng)功率很小�
器件�(nèi)寄生有反向二極管,它在變頻器電路中起�(xù)流維�(hù)作用�
①最大漏極電流IDM 是允許連續(xù)�(yùn)�(zhuǎn)的最大漏極電��
②擊穿電壓uDs 是指漏極與源極之間的擊穿電壓,也就是指管子在截止?fàn)顟B(tài)下,漏極與源極之間的最大維持電��
③閾值電壓UGS 是可以使MOSFET管子�(dǎo)通的最低柵極電�。該電壓�2- 6V。實(shí)踐運(yùn)用時(shí),柵極驅(qū)�(dòng)電壓�(yīng)�(1.5-2.5)Ucs,即15v左右�
④導(dǎo)通電阻RON是MOSFET管子�(dǎo)通時(shí),漏極與源極之間的電阻�。RON決議了管子的通態(tài)損�。導(dǎo)通電阻RCN有正溫度系數(shù),即電流越大,RON的值也因附加發(fā)熱而自行增�。因而它�(duì)電流的增加有抑止作用。這在器件并聯(lián)�(yīng)用時(shí)有自�(dòng)平衡電流的效��
⑤開�(guān)頻率 MOSFET的開�(guān)速度和工作頻率要比GTR�1-2�(gè)�(shù)量級(jí)。普通MOSFET的開�(guān)�(shí)間為幾微秒至幾十微秒,最高頻率可�(dá)50kHz以上�