可控硅是一種以�晶體為材料的P1N1P2N2四層三端器件的大功率半導(dǎo)體器�,一般由�晶閘�反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)�(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等�。可控硅和其它半�(dǎo)體器件一�,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等�(yōu)�(diǎn)。它的出�(xiàn),使半導(dǎo)體技�(shù)從弱電領(lǐng)域�(jìn)入了�(qiáng)電領(lǐng)�,成為工�(yè)、農(nóng)�(yè)、交通運(yùn)�、軍事科研以至商�(yè)、民用電器等方面爭相采用的元��
可控硅是P1N1P2N2四層三端�(jié)�(gòu)元件,共有三�(gè)PN�(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一�(gè)PNP管和一�(gè)NPN管所組成,當(dāng)陽極A加上正向電壓�(shí),BG1和BG2管均處于放大狀�(tài)。此�(shí),如果從控制極G輸入一�(gè)正向觸發(fā)信號,BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相�,所以ib1=ic2。此�(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這�(gè)電流又流回到BG2的基�,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)�,兩�(gè)管子的電流劇�,可控硅使飽和導(dǎo)�。由于BG1和BG2所�(gòu)成的正反�?zhàn)�?,所以一旦可控硅?dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持�(dǎo)通狀�(tài),由于觸�(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關(guān)斷功�,所以這種可控硅是不可�(guān)斷的�
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩�,都是三�(gè)電極。單向可控硅有陰極(K�、陽極(A)、控制極(G�。雙向可控硅等效于兩只單�(xiàng)可控硅反向并�(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊�,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相�,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G��
1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩�(gè)�,若�、反測指針均不動(dòng)(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅�。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控�。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G�,剩下即為A�。若�、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控�。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)�,其中必有一次阻值稍�,則稍大的一次紅筆接的為G�,黑筆所接為T1�,余下是T2��
鑒別可控硅三�(gè)極的方法很簡�,根�(jù)P-N�(jié)的原�,只要用萬用表測量一下三�(gè)極之間的電阻值就可以�
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩�(gè)P-N�(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)�
控制極與陰極之間是一�(gè)P-N�(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想�,反向不是完全呈阻斷狀�(tài)�,可以有比較大的電流通過,因�,有�(shí)測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不�。另�,在測量控制極正反向電阻�(shí),萬用表�(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊��
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞�