CMOS(本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料)是微機(jī)主板上的一塊可讀寫的RAM芯片,主要用來保存當(dāng)前系統(tǒng)的硬件配置和操作人員對(duì)某些參數(shù)的設(shè)定。CMOS RAM芯片由系統(tǒng)通過一塊后備電池供電,因此無論是在關(guān)機(jī)狀態(tài)中,還是遇到系統(tǒng)掉電情況,CMOS信息都不會(huì)丟失。
早期的CMOS是一塊單獨(dú)的芯片MC146818A(DIP封裝),共有64個(gè)字節(jié)存放系統(tǒng)信息。386以后的微機(jī)一般將 MC146818A芯片集成到其它的IC芯片中(如82C206,PQFP封裝),586以后主板上更是將CMOS與系統(tǒng)實(shí)時(shí)時(shí)鐘和后備電池集成到一塊叫做DALLDA DS1287的芯片中。隨著微機(jī)的發(fā)展、可設(shè)置參數(shù)的增多,現(xiàn)在的CMOS RAM一般都有128字節(jié)及至256字節(jié)的容量。為保持兼容性,各BIOS廠商都將自己的BIOS中關(guān)于CMOS RAM的前64字節(jié)內(nèi)容的設(shè)置統(tǒng)一與MC146818A的CMOS RAM格式一致,而在擴(kuò)展出來的部分加入自己的特殊設(shè)置,所以不同廠家的BIOS芯片一般不能互換,即使是能互換的,互換后也要對(duì)CMOS信息重新設(shè)置以確保系統(tǒng)正常運(yùn)行。
在今日,CMOS制造工藝也被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件,尤其是片幅規(guī)格較大的單眼數(shù)碼相機(jī)。雖然在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計(jì)算工具的用途非常不同,但基本上它仍然是采取CMOS的工藝,只是將純粹邏輯運(yùn)算的功能轉(zhuǎn)變成接收外界光線后轉(zhuǎn)化為電能,再透過芯片上的數(shù)碼─類比轉(zhuǎn)換器(ADC)將獲得的影像訊號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)碼訊號(hào)輸出。
CMOS(本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料)是微機(jī)主板上的一塊可讀寫的RAM芯片,主要用來保存當(dāng)前系統(tǒng)的硬件配置和操作人員對(duì)某些參數(shù)的設(shè)定。CMOS RAM芯片由系統(tǒng)通過一塊后備電池供電,因此無論是在關(guān)機(jī)狀態(tài)中,還是遇到系統(tǒng)掉電情況,CMOS信息都不會(huì)丟失。
由于CMOS RAM芯片本身只是一塊存儲(chǔ)器,只具有保存數(shù)據(jù)的功能,所以對(duì)CMOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過專門的程序。早期的CMOS設(shè)置程序駐留在軟盤上的(如IBM的PC/AT機(jī)型),使用很不方便。現(xiàn)在多數(shù)廠家將CMOS設(shè)置程序做到了 BIOS芯片中,在開機(jī)時(shí)通過按下某個(gè)特定鍵就可進(jìn)入CMOS設(shè)置程序而非常方便地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)置,因此這種CMOS設(shè)置又通常被叫做BIOS設(shè)置。
功耗低
CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。
工作電壓范圍寬
CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。
邏輯擺幅大
CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別接近于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當(dāng)VDD=15V,VSS=0V時(shí),輸出邏輯擺幅近似15V。因此,CMOS集成電路的電壓電壓利用系數(shù)在各類集成電路中指標(biāo)是較高的。
抗干擾能力強(qiáng)
CMOS集成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%,保證值為電源電壓的30%。隨著電源電壓的增加,噪聲容限電壓的值將成比例增加。對(duì)于VDD=15V的供電電壓(當(dāng)VSS=0V時(shí)),電路將有7V左右的噪聲容限。
輸入阻抗高
CMOS集成電路的輸入端一般都是由保護(hù)二極管和串聯(lián)電阻構(gòu)成的保護(hù)網(wǎng)絡(luò),故比一般場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻稍小,但在正常工作電壓范圍內(nèi),這些保護(hù)二極管均處于反向偏置狀態(tài),直流輸入阻抗取決于這些二極管的泄露電流,通常情況下,等效輸入阻抗高達(dá)103~1011Ω,因此CMOS集成電路幾乎不消耗驅(qū)動(dòng)電路的功率。
溫度穩(wěn)定性能好
由于CMOS集成電路的功耗很低,內(nèi)部發(fā)熱量少,而且,CMOS電路線路結(jié)構(gòu)和電氣參數(shù)都具有對(duì)稱性,在溫度環(huán)境發(fā)生變化時(shí),某些參數(shù)能起到自動(dòng)補(bǔ)償作用,因而CMOS集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路,工作溫度為-55 ~ +125℃;塑料封裝的電路工作溫度范圍為-45 ~ +85℃。
扇出能力強(qiáng)
扇出能力是用電路輸出端所能帶動(dòng)的輸入端數(shù)來表示的。由于CMOS集成電路的輸入阻抗極高,因此電路的輸出能力受輸入電容的限制,但是,當(dāng)CMOS集成電路用來驅(qū)動(dòng)同類型,如不考慮速度,一般可以驅(qū)動(dòng)50個(gè)以上的輸入端。
抗輻射能力強(qiáng)
CMOS集成電路中的基本器件是MOS晶體管,屬于多數(shù)載流子導(dǎo)電器件。各種射線、輻射對(duì)其導(dǎo)電性能的影響都有限,因而特別適用于制作航天及核實(shí)驗(yàn)設(shè)備。
可控性好
CMOS集成電路輸出波形的上升和下降時(shí)間可以控制,其輸出的上升和下降時(shí)間的典型值為電路傳輸延遲時(shí)間的125%~140%。
接口方便
因?yàn)镃MOS集成電路的輸入阻抗高和輸出擺幅大,所以易于被其他電路所驅(qū)動(dòng),也容易驅(qū)動(dòng)其他類型的電路或器件。
大致都包含如下可設(shè)置的內(nèi)容:
1.Standard CMOS Setup:標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)設(shè)置,包括日期,時(shí)間和軟、硬盤參數(shù)等。
2.BIOS Features Setup:設(shè)置一些系統(tǒng)選項(xiàng)。
3.Chipset Features Setup:主板芯片參數(shù)設(shè)置。
4.Power Management Setup:電源管理設(shè)置。
5.PnP/PCI Configuration Setup:即插即用及PCI插件參數(shù)設(shè)置。
6.Integrated Peripherals:整合外設(shè)的設(shè)置。
7.其他:硬盤自動(dòng)檢測(cè),系統(tǒng)口令,加載缺省設(shè)置,退出等
使用CMOS電路時(shí),除了要認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明書或有關(guān)資料,了解其引腳分布情況及極限參數(shù)之外,還應(yīng)注意以下問題:
(1)在安裝電路、改變電路連接、插拔CMOS器件時(shí),必須切斷電源,否則CMOS器件很容易受到極大的感應(yīng)或電沖擊而損壞。
(2)電源問題。CMOS集成電路的工作電源電壓一般在3~18V之間,但當(dāng)系統(tǒng)中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí),工作電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于工作電壓范圍寬,故使用不穩(wěn)壓的電源電路也可以工作。CMOS有微功耗的特點(diǎn),所以特別適用于電池做電源或備用電源,其電路如圖1所示。正常工作時(shí),VD1導(dǎo)通,VD2截止,由VA供電。一旦VA不供電,則VD2迅速導(dǎo)通,由VB進(jìn)行供電。國(guó)產(chǎn)C000系列CMOS電路的電源電壓允許在7~15V范圍內(nèi)選擇。工作在不同電源電壓下的器件,其輸出阻抗、工作速度和功耗也會(huì)不同,在使用中應(yīng)注意。
(3)驅(qū)動(dòng)能力問題。CMOS電路的驅(qū)動(dòng)能力,除選用驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)的大緩沖器來提高之外,還可以將同一個(gè)芯片幾個(gè)同類電路并接起來提高,這時(shí)驅(qū)動(dòng)能力提高到N倍(N為并聯(lián)門電路的數(shù)量)。
(4)多余輸入端的處理。CMOS電路的輸入端不允許懸空,因?yàn)閼铱諘?huì)使電位不定,破壞正常的邏輯關(guān)系。另外,懸空時(shí)輸入阻抗高,易受外界噪聲干擾,使電路產(chǎn)生誤動(dòng)作,而且也極易使柵極感應(yīng)靜電造成擊穿。所以,對(duì)于“與”門,“與非”門的多余端接高電平,對(duì)于“或”門、“或非”門的多余端接低電平。如果電路的工作速度不高,功耗也不需要特別考慮,則可采用多余的輸入端和使用端并用的方法加以解決。
(5)輸入端的電流不能超過1mA(極限值為10mA),如果不能保證這一點(diǎn),必須在輸入端加適當(dāng)?shù)碾娮柽M(jìn)行限流保護(hù)。
(6)輸入信號(hào)不可大于VDD或小于VSS,否則輸入保護(hù)二極管會(huì)因正向偏置而引起大電流�;谶@一點(diǎn),在工作或測(cè)試時(shí),必須按照先接通電源后由加入信號(hào),先撤除信號(hào)后再關(guān)閉電源順序進(jìn)行操作。
(7)輸入信號(hào)的上升或下降時(shí)間不宜過長(zhǎng),否則一方面容易造成虛假觸發(fā)而導(dǎo)致器件失去正常功能,另一方面還會(huì)造成大的損耗。對(duì)4000B系列,上升或下降時(shí)間限于15μs以內(nèi);對(duì)于74HC系列限于0.5μs以內(nèi)。如果不滿足這個(gè)要求,必須使用史密特觸發(fā)器件輸入整形。
(8)輸入端接長(zhǎng)線時(shí)的保護(hù)問題。在CMOS電路的輸入端與機(jī)械接點(diǎn)連接以及其它特殊應(yīng)用情況下,輸入端往往需要接入長(zhǎng)線,長(zhǎng)輸入線必然有較大的分布電容和分布電感,很容易形成LC振蕩。特別當(dāng)輸入端一旦發(fā)生負(fù)電壓,容易破壞CMOS中的保護(hù)二極管。其保護(hù)方法是在輸入端串接一個(gè)電阻R2,如圖2所示,R2=VDD/1mA。
(9)CMOS的接口電路問題。當(dāng)和運(yùn)放接口時(shí),如果運(yùn)放采用雙電源,CMOS采用的是獨(dú)立的另一組電源,則要采用如圖3所示的連接方式。在電路中,VD1、VD2作箝位保護(hù),使CMOS輸入電壓處在10V與地之間。15kΩ的電阻既作為CMOS的限流電阻,又對(duì)二極管進(jìn)行限流保護(hù)。如果運(yùn)放使用單電源,且與CMOS使用的電源一樣,則可直接連接。
總之,集成電路在使用過程中,常常涉及到CMOS電路和TTL等其它電路之間的連接問題。由于這些電路相互之間的電源電壓和輸入、輸出電平及電流不相同,因此它們之間的連接必須通過電平轉(zhuǎn)換或電流轉(zhuǎn)換電路,使前級(jí)器件的輸出電流大于后級(jí)器件對(duì)輸入電流的要求,前級(jí)器件輸出的邏輯電平滿足后級(jí)器件對(duì)輸入電平的要求,并不得對(duì)器件造成損壞。邏輯器件的接口電路主要應(yīng)注意電平匹配和輸出能力兩個(gè)問題,要和器件的電源電壓結(jié)合起來考慮。
(10)CMOS電路具有很高的輸入阻抗,致使器件易受外界干擾、沖擊和靜電擊穿,所以在其內(nèi)部輸入端接有二極管保護(hù)電路,如圖4所示。其中R約為1.5~2.5kΩ。輸入保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的引入,使器件的輸入阻抗有一定的下降,但仍達(dá)到108Ω以上。由于保護(hù)電路吸收的瞬變能量有限,太大的瞬變信號(hào)和過高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。在焊接CMOS管時(shí),電烙鐵必須可靠接地,以防電烙鐵漏電擊穿器件輸入端。一般可利用電烙鐵斷電后的余熱焊接,并先焊接其接地腳。
(11)防止用大電阻串入VDD和VSS端,以免在電路開關(guān)期間由于電阻上的壓降引起保護(hù)二極管瞬時(shí)導(dǎo)通,而損壞器件。
(12)CMOS器件輸出端不允許直接和VDD或VSS連接,否則將導(dǎo)致器件損壞。除三態(tài)輸出器件外,不允許兩個(gè)器件并接成邏輯狀態(tài),因?yàn)椴煌钠骷䥇?shù)不一致,有可能導(dǎo)致NMOS和PMOS器件同時(shí)導(dǎo)通,形成大電流。但為了增加電路的驅(qū)動(dòng)能力,允許把同一芯片上的同類電路并聯(lián)使用。
(13)對(duì)于CMOS電路,如果輸入電路中沒有一定的抗靜電措施,很容易造成電路的毀滅性破壞。雖然各種CMOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施,但仍須小心對(duì)待在包裝、儲(chǔ)存、運(yùn)輸?shù)拳h(huán)節(jié)中可能產(chǎn)生的靜電問題,可采取多種措施,諸如工作臺(tái)面有良好的導(dǎo)電性,并且可靠接地。應(yīng)放在抗靜電的材料中儲(chǔ)存和運(yùn)輸CMOS集成電路。工作人員不宜穿尼龍、化纖衣服,不穿硬塑料底的鞋子,手或工具在接觸集成塊前先接一下地。對(duì)器件引線矯直、彎曲或人工焊接時(shí),使用的設(shè)備必須接地。
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