柵漏電流(Gate Leakage Current)是�MOS場效�(yīng)��MOSFET)中柵極和源極之間的漏電�。在實際使用�,由于工藝制造和�(shè)備的參數(shù)不可避免地存在一些偏�,從而導(dǎo)致柵漏電流的�(chǎn)��
柵漏電流是由于MOSFET的柵�(jié)�(gòu)和附近區(qū)域存在濃度不�、缺陷等因素引起的電子隧穿或者熱�(fā)射等�(xiàn)象所形成的泄漏電�。其大小與柵電壓、晶體管制造工藝以及溫度等諸多因素有關(guān)�
柵漏電流是非常微弱的電流,一般情況下采用以下計算公式�(jìn)行估算:
<p center;"="" style='"text-align:'>$I_G=I_{G0}left(frac{T}{T_0}right)^nmathrm{exp}left[frac{-E_G}{k_B(T-T_0)}right]$
其中�$I_G$為柵漏電��$I_{G0}$為溫度為$T_0$時的柵漏電流�$T$為當(dāng)前溫度,$n$為取決于MOSFET工藝和溫度的常數(shù)�$E_G$為帶隙能在絕對溫度下的��$k_B$為玻爾茲曼常�(shù)�
柵漏電流大小主要受以下因素影響:
柵電壓:柵電壓越高,隧穿概率越大,柵漏電流也會相�(yīng)增加�
溫度:溫度越�,電子具有更多的熱能,更容易通過勢壘�,同時缺陷態(tài)密度也會增加,導(dǎo)致柵漏電流上��
晶體管制造工藝:制造工藝差異會�(dǎo)致晶體管中缺陷原子等存在濃度不同,從而導(dǎo)致柵漏電流的大小不同�