雙極�(jié)�晶體管(Bipolar Junction Transistor�BJT�,又常稱為雙載子晶體�或半�(dǎo)�三極�。它是通過一定的工藝將兩�PN�(jié)�(jié)合在一起的器件,有PNP和NPN兩種組合�(jié)�(gòu)�
1947.12.23日只�(diǎn)接觸晶體管誕�-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain)
1949年提出PN�(jié)和雙極結(jié)型晶體管理論-Bell Lab.(Shockley)
1951年制造出只鍺�(jié)型晶體管-Bell Lab.(Shockley)
1956年制造出只硅�(jié)型晶體管-美得洲儀器公司(TI�
1956年Bardeen、Shockley、Brattain獲諾貝爾�
1956年中國制造出只鍺�(jié)型晶體管-(吉林大�(xué)高鼎三)
1970年硅平面工藝成熟,雙極結(jié)型晶體管大批量生�(chǎn)
雙極�(jié)型晶體管(BJT)種類很�,按照頻率分,有高頻�,低頻管,按照功率分,有�、中、大功率管,按照半導(dǎo)體材料分,有硅管和鍺管等;其�(gòu)成的放大電路形式有:共發(fā)射極、共基極和共集電極放大電��
雙極�(jié)型晶體管的外部引出三個極:集電極,發(fā)射極和基�,集電極從集電區(qū)引出,發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出,基極從基區(qū)引出(基區(qū)在中間);BJT有放大作用,重要依靠它的�(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸?shù)竭_(dá)集電區(qū)而實(shí)�(xiàn)�,為了保證這一傳輸過程,一方面要滿足內(nèi)部條�,即要求�(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,同時基區(qū)厚度要很�,另一方面要滿足外部條�,即�(fā)射結(jié)要正向偏置(加正向電壓)、集電結(jié)要反偏置�
1、發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,膠放大區(qū)或正向有源區(qū)�
2、發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏,叫飽和區(qū)�
3、發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏,膠截止區(qū)�
4、發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏,膠倒置區(qū)或反向有源區(qū)�
一種雙極結(jié)型晶體管元件,此元件的晶體管中的p型井區(qū)�(huán)繞在n型�(fā)射極區(qū)周圍,且與發(fā)射極底部連接,用以作為一基極區(qū)。p型基極拾取區(qū)與p型基極連接,且�(huán)繞于�(fā)射極區(qū)周圍。n型深井區(qū),其與基極區(qū)底部以及n型井區(qū)的底部連接,用以作為一集電極區(qū)。n型井區(qū)�(huán)繞于基極區(qū)周圍,并且與n型的深井區(qū)連接。n型集電極拾取區(qū)連接n型井區(qū),且�(huán)繞于基極區(qū)周圍。隔離結(jié)�(gòu),位于發(fā)射極區(qū)與基極區(qū)之間以及部分的基極區(qū)與部分的n型井區(qū)之間。緩沖區(qū)位于部分隔離�(jié)�(gòu)下方,且與部分隔離結(jié)�(gòu)共同隔離開p型基極區(qū)與n型井區(qū)�