MOSFET�(qū)動器是一款高頻高電壓柵極�(qū)動器,可利用一個同� DC/DC �(zhuǎn)換器和高�(dá) 100V �電源電壓來驅(qū)動兩� N 溝道 MOSFET。強大的�(qū)動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對兩個與電源無關(guān)的輸入進行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運行�
●欠壓閉鎖功�
●自適應(yīng)貫通保護功�
●自舉電源電壓至 114V
�1.4A 峰值頂端柵極上拉電�
�1.75A 峰值底端柵極上拉電�
●耐熱增強� 8 引腳 MSOP 封裝
●寬 VCC 電壓�4.5V � 13.5V
�1.5Ω 頂端柵極�(qū)動器下拉電阻
�0.75Ω 底端柵極�(qū)動器下拉電阻
�5ns 頂端柵極下降時間�(qū)� 1nF �(fù)�
�8ns 頂端柵極上升時間�(qū)� 1nF �(fù)�
�3ns 底端柵極下降時間�(qū)� 1nF �(fù)�
�6ns 底端柵極上升時間�(qū)� 1nF �(fù)�
●可�(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET
MOSFET �(qū)動器的功耗包含三部分�
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功��
與MOSFET柵極電容充電和放電有�(guān)。這部分功耗通常是的,特別在很低的開�(guān)頻率��
2. 由于MOSFET �(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功��
高電平時和低電平時的靜態(tài)功��
3. MOSFET �(qū)動器交越�(dǎo)通(穿通)電流�(chǎn)生的功��
由于MOSFET �(qū)動器交越�(dǎo)通而產(chǎn)生的功耗,通常這也被稱為穿�。這是由于輸出�(qū)動級的P溝道和N 溝道場效�(yīng)管(FET)在其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間切換時同時導(dǎo)通而引起的�
●分布式電源架構(gòu)
●汽車電�
●高密度電源模塊
●電信系�(tǒng)
維庫電子�,電子知�,一查百通!
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