半導(dǎo)�二極�(Semiconductor Diode),又�晶體二極�,簡稱二極管,由一�(gè)PN�(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成�。由P區(qū)引出的電極稱為陽�,N區(qū)引出的電極稱為陰�。因?yàn)镻N�(jié)的單�?qū)щ�?,二極管�(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽極通過管子�(nèi)部流向陰�。在電子電路中用于檢�、限幅、整��開關(guān)、穩(wěn)壓、電平顯示等�
1.根據(jù)材料可分為:硅二極管、鍺二極�
2.根據(jù)�(jié)�(gòu)可分為:�(diǎn)接觸�、面接觸型、平面型
●點(diǎn)接觸型二極管,通過的電流小,結(jié)電容�,適用于高頻電路和開�(guān)電路�
●面接觸型二極管,結(jié)面積大,電流�,結(jié)電容大,適用于低頻整流電��
●平面型二極管,�(jié)面積較大�(shí)可以通過較大電流,適用于大功率整流,�(jié)面積較小�(shí),可作為�(shù)字電路中的開�(guān)��
3.根據(jù)用途可分為:普通二極管,整流二極管,開�(guān)二極�,穩(wěn)壓二極管�
1. 整流電流 IOM
二極管長期使用時(shí),允許流過二極管的正向平均電��
2. 反向擊穿電壓UBR
二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增,二極管的單�?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒�。手�(cè)上給出的反向工作電壓UWRM一般是UBR的一��
3. 反向電流 IR
指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電�。反向電流大,說明管子的單向?qū)щ娦圆睿虼朔聪螂娏髟叫≡�?。反向電流受溫度的影響,溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小,鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百��
4. 微變電阻 rD
rD 是二極管特性曲線上工作�(diǎn)Q 附近電壓的變化與電流的變化之比:
5. 二極管的極間電容
二極管的兩極之間有電容,此電容由兩部分組成:勢壘電容CB和擴(kuò)散電容CD�
�1)勢壘電容:勢壘區(qū)是積累空間電荷的區(qū)�,當(dāng)電壓變化�(shí),就�(huì)引起積累在勢壘區(qū)的空間電荷的變化,這樣所表現(xiàn)出的電容是勢壘電��
?�?)擴(kuò)散電容:為了形成正向電流(擴(kuò)散電流),注入P 區(qū)的少子(電子)在P 區(qū)有濃度差,越靠近PN�(jié)濃度越大,即在P 區(qū)有電子的積累。同�,在N區(qū)有空穴的積累。正向電流大,積累的電荷�。這樣所�(chǎn)生的電容就是�(kuò)散電容CD�
CB在正向和反向偏置�(shí)均不能忽�。而反向偏置時(shí),由于載流子�(shù)目很少,�(kuò)散電容可忽略�
半導(dǎo)體二極管伏安特性是指二極管流過的電流與二極管兩端電壓之間的�(guān)系曲�。圖為半�(dǎo)體二極管的伏安特性曲��
(1) 正向特�
�(dāng)VD�0 即處于正向特性區(qū)�,正向區(qū)又分為兩段:
?、佼?dāng)0<VD<Vth�(shí),外電場不足以克服PN�(jié)的內(nèi)電場�
正向電流為零,Vth稱為死區(qū)或開啟電�
?、诋?dāng)VD>Vth�(shí),內(nèi)電場大為削弱�
開始出現(xiàn)正向電流,并按指�(shù)�(guī)律增��
Si二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5 V左右,Ge二極管的死區(qū)電壓Vth=0.1 V左右�
(2)反向特�
�(dāng)VBR<V�0�(shí),反向電流很�,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS �
(3)反向擊穿特�
�(dāng)PN�(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)(VD ≤VBR�,反向電流突然快速增�,此�(xiàn)象稱為PN�(jié)的反向擊�。在反向區(qū),硅二極管和鍺二極管的特性有所不同�
硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也�??;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過渡比較圓�,反向飽和電流較�
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