DRAM芯片即動�(tài)隨機存取存儲�,DRAM 只能將數(shù)�(jù)保持很短的時�,所以需要定時刷新。DRAM相對于SRAM來說更加�(fù)�,因為在DRAM存儲�(shù)�(jù)的過程中需要對于存儲的信息不停的刷�,這也是它們之間的不同�
DRAM 分為很多�,常見的主要� FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM �,這里介紹其中的一� DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作 DDR SDRAM,這種改進型� RAM � SDRAM 是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)�(jù),這樣就使得數(shù)�(jù)傳輸速度加倍了。這是目前 電腦中用得最多的�(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)�,事實上擊敗� Intel 的另外一種內(nèi)存標準-Rambus DRAM。在很多高端 的顯卡上,也配備了高� DDR RAM 來提高帶�,這可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能��
DRAM 分為很多�,常見的主要� FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等,這里介紹其中的一� DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作 DDR SDRAM,這種改進型� RAM � SDRAM 是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)�(jù),這樣就使得數(shù)�(jù)傳輸速度加倍了。這是目前 電腦中用得最多的�(nèi)�,而且它有著成本優(yōu)�,事實上擊敗� Intel 的另外一種內(nèi)存標準-Rambus DRAM。在很多高端 的顯卡上,也配備了高� DDR RAM 來提高帶�,這可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。Intel�1979年發(fā)布的2188DRAM芯片,采�16Kx1 DRAM 18線DIP封裝。是最早出�(xiàn)的一款DRAM芯片。我們現(xiàn)在來解讀一下它所代表的意義:
�16K x 1”是指芯片可以存�16384個bit�(shù)�(jù),同時期可同時進行1bit的讀取或者寫入操�。DRAM地址引腳�7�,SRAM地址引腳�14�,這顆16K DRAM通過DRAM接口把地址一分為二,然后利用兩個連續(xù)的時鐘周期傳�?shù)刂窋?shù)�(jù)。這樣就可以節(jié)省一半的針腳實現(xiàn)和SRAM的同樣功�,這種技�(shù)即多路技�(shù)(multiplexing�??梢酝瓿�?6K SRAM一樣的工作�
DRAM減少地址引腳的主要原因是以下幾個方面:
1. 同容量的DRAM要比SRAM體積少四�。這樣也就沒有足夠的空間安放與SRAM同樣�(shù)量的引腳。所以必須減少地址引腳�
2. 廠商雖然可以將DRAM的體積加大增加引�,但是為了降低成本和功耗,所以還是要減少地址引腳�(shù)量�
3. 大容量DRAM芯片一般采用多路尋址技�(shù),這么做雖使DRAM芯片�(fù)�,同時也使DRAM接口更加�(fù)�,但是可以獲得比同容量的SRAM更少的地址引腳
由于DRAM的特性決定,DRAM能存儲電荷的時間非常短暫,這樣它需要在電荷消失之前進行刷新,直到下次寫入數(shù)�(jù)或者計算機斷電才停�。每次讀寫操作都要刷新DRAM�(nèi)的電�,因此DRAM�(shè)計為有規(guī)律的讀取其�(nèi)的內(nèi)��
刷新技�(shù)有以下幾個好處:
1.只要使用/RAS激活每一行便可做到全部刷��
2.用DRAM控制器來控制刷新,防止刷新操作干擾有�(guī)律的讀寫操��
3.一般來�,DRAM行的�(shù)目比列的�(shù)量少,行越少刷新的時間也就越��
過去在一般性的嵌入式設(shè)計上,其�(nèi)存部分多是使� SRAM,之后由于計算機等電子數(shù)�(jù)�(shè)備的成長,使�(shè)備內(nèi)部所� 的內(nèi)存容量大幅增�,這時就難以使� SRAM 來實�(xiàn)大容量的�(nèi)存系�(tǒng),而必須使� DRAM,DRAM 每個位的記憶電 路是� 1 個晶體管� 1 個電容所�(gòu)�,相對于 SRAM 每個位需� 4?6 個晶體管才能�(gòu)�,DRAM 擁有� SRAM � 4?6 倍的記憶密度� 雖然 DRAM 在記憶密�、電路成本等方面�(yōu)� SRAM,但 DRAM 也有不如 SRAM 的地�,SRAM 是以持續(xù)供電 的方式來記憶�(shù)�(jù),所以運作上相當耗電,相對的 DRAM 實行刷新(Refresh)方式來持留住記憶內(nèi)�,如此雖比較� �,但記憶�(shù)�(jù)的存取速度就不� SRAM� 此外,DRAM 因為刷新電路、存取電路等�(shè)�,使的系�(tǒng)接口的線路較 SRAM �(fù)�,SRAM 沒有刷新電路且接� �(shè)計單純、直�,如此對電子工程師而言,除非真� SRAM 無法滿足的高容量、低用電等設(shè)計要�,否則都盡可能實� SRAM,因� SRAM 的電路設(shè)計比 DRAM 簡潔、容�� 正因� SRAM � DRAM 有諸多特性是完全相左,以致多年來的應(yīng)用范疇也各不相同,SRAM 多用在少�(shù)容量的高 速存取應(yīng)用上,例如高速處理器的高速緩存、高速網(wǎng)�(luò)�(shè)備(如:路由�、交換機)的�(nèi)存等。� DRAM 就用在大� 記憶需求的�(yīng)用上,如激光打印機、高清晰�(shù)字電視等� 不過,在手持式應(yīng)用的�(shè)計上,就同時需� DRAM � SRAM 的特性,既需� SRAM 的電路簡潔特性(因為印刷� 路板面積�,線路數(shù)能減少就少),又需� DRAM 的低用電(因使用電池運作�。此外芯片用�(shù)也多� 1�2 個芯片左 右,所以也不易同時使用 DRAM 芯片� SRAM 芯片,只能擇一而用。既然只能擇一而用,真正權(quán)衡取舍的�(jié)果是使用 DRAM,但必須� DRAM 的存取接口加以簡�,作法是將刷新電路改成自行刷新(Self-Refresh�,然后接口簡化成� �、近似原� SRAM 的接�,如此就成了 PSRAM,有時也� PSDRAM� PSRAM 標準各有技�(shù)陣營 PSRAM 的概念是改變 DRAM 原有的存取接口設(shè)�,使其接口兼容于原有 SRAM 的存取接�,且在存取的時序等其� 特性上也相類似。不過光有概念還是不�,各�(yè)者依然組成了�(lián)盟陣營,訂立出自己依循的 PSRAM �(guī)范及標準�
維庫電子�,電子知�,一查百��
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