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功率�(chǎng)效應(yīng)�
閱讀�12871�(shí)間:2011-07-12 00:10:54

  功率�(chǎng)效應(yīng)�(Power MOSFET)也叫電力�(chǎng)效應(yīng)晶體�,是一種單極型的電壓控制器�,具有自�(guān)斷能�,�(qū)�(dòng)功率�,開關(guān)速度�、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于�(qū)�(dòng)和開�(guān)頻率可高�(dá)500kHz,特別適于高頻化電力電子裝置,如�(yīng)用于 DC/DC 變換、開�(guān)電源、便攜式電子�(shè)�、航空航天以及汽車等電子電器�(shè)備中�

特點(diǎn)

  功率�(chǎng)效應(yīng)�(MOSFET)與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)�

  1.場(chǎng)效應(yīng)�(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器�),因此在�(qū)�(dòng)大電流時(shí)無需推動(dòng)�(jí),電路較�(jiǎn)��

  2.輸入阻抗高,可�(dá)108Ω以上�

  3.工作頻率范圍寬,開�(guān)速度�(開關(guān)�(shí)間為幾十納秒到幾百納�),開�(guān)損耗小�

  4.有較優(yōu)良的線性區(qū),并且場(chǎng)效應(yīng)�(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得�,所以它的交流輸入阻抗極高;噪聲也小,最合適制作Hi-Fi音響�

  5.功率場(chǎng)效應(yīng)�(MOSFET)可以多�(gè)并聯(lián)使用,增加輸出電流而無需均流電阻�

主要參數(shù)

  �1� 漏極擊穿電壓 BUD 是不使器件擊� � 漏極擊穿電壓 BUD 的極限參�(shù),它大于漏極電壓額定值。BUD 隨結(jié)溫的升高而升�,這點(diǎn)正好� GTR � GTO 相反�

  �2� 漏極額定電壓 UD UD 是器件的�(biāo)稱額定��

 ?�?�  UT 漏極電流 ID � IDM ID 是漏極直流電流的額定參數(shù);IDM 是漏極脈沖電流幅值�

  �4� 柵極開啟電壓 UT 又稱閥值電�,是開� Power MOSFET 的柵-源電壓, 它為�(zhuǎn)移特性的特性曲線與橫軸的交�(diǎn)。施加的柵源電壓不能太大,否則將擊穿器件�

 ?�?� 跨導(dǎo) gm gm 是表� Power MOSFET 柵極控制能力的參�(shù)�

典型�(yīng)�

  1.電池反接保�(hù)電路

  電池反接保護(hù)電路如圖9所�。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方�,在電池接反�(shí),PN�(jié)反接無電壓降,但在正常工 作時(shí)�0.6�0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電阻低的增�(qiáng)型N溝道�(chǎng)效應(yīng)�(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID),如Si9410DY的RDS(ON)約�0.04Ω,則在lA�(shí)約為0.04V。這時(shí)要注意在電池正確安裝�(shí),ID并非完全通過管內(nèi)的二極管,而是在VGS�5V�(shí),N�(dǎo)電溝道暢�(它相�(dāng)于一�(gè)極小的電�)而大部分電流是從S流向D�(ID為負(fù))。而當(dāng)電池裝反�(shí),場(chǎng)效應(yīng)�(MOSFET)不�,電路得以保�(hù)�

  2.觸摸調(diào)光電�

  一種簡(jiǎn)單的觸摸�(diào)光電路如�10。當(dāng)手指觸摸上觸頭時(shí),電容經(jīng)手指電阻�100k充電,VGS漸增�,燈漸亮;當(dāng)觸摸下觸頭時(shí),電容經(jīng)100k及手指電阻放�,燈漸暗到滅�

  3.甲類功率放大電�

  由R1、R2建立VGS靜態(tài)工作�(diǎn)(此時(shí)有一定的ID流過)。當(dāng)音頻信號(hào)�(jīng)過C1耦合到柵�,使�(chǎn)�-△VGS,則�(chǎn)生較大的△ID,經(jīng)輸出變壓器阻抗匹�,使4�8Ω喇叭輸出較大的聲功率。圖ll中Dw�9V�(wěn)壓二極管,是保護(hù)G、S極以免輸入過高電壓而擊�。從圖中也可以看出,偏置電阻的數(shù)值較�,因?yàn)闁艠O輸入阻抗極高,并且無柵流�

圖1 功率場(chǎng)效應(yīng)管的典型應(yīng)用

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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